[发明专利]一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法无效
| 申请号： | 201010281144.0 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101948299A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 曹林洪;智顺华;王宁会 | 申请（专利权）人： | 西南科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/04 | 分类号： | C04B35/04;C04B35/64 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 621010 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 致密 氧化镁 陶瓷 烧结 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
A、以纳米级的片状高纯度的碱式碳酸镁为原料，700～1000℃高温煅烧得到纳米氧化镁粉体；
B、将煅烧得到的纳米氧化镁粉体加压成型，得到氧化镁陶瓷素坯；
C、氧化镁陶瓷素坯经过1℃/min～30℃/min的速率升温到设定的烧结温度；其中烧结温度为1300℃，保温烧结时间为180分钟。
2.如权利要求1所述的致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法，其特征在于，所述步骤A中，煅烧温度为700℃。
3.如权利要求1所述的致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法，其特征在于，所述步骤B中，成型压力为320MPa～800MPa。
4.如权利要求1所述的致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法，其特征在于，所述步骤B中，成型压力为800MPa；步骤C中，升温速率10℃/min。
5.如权利要求1所述的致密氧化镁陶瓷的烧结制备方法，其特征在于，所述步骤A中，煅烧过程中，煅烧温度为阶梯式分布的3个温度，分别为800℃、900℃、1000℃，煅烧时间均为2小时；步骤B中，成型压力为阶梯式分布的3个压力值，分别为320MPa、480MPa、640MPa，加压时间均为2分钟。
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