[发明专利]一种半导体激光器巴条制作方法无效

专利信息
申请号: 201010281269.3 申请日: 2010-09-15
公开(公告)号: CN101997269A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 于果蕾;汤庆敏;房玉锁;徐现刚;夏伟 申请(专利权)人: 山东华光光电子有限公司
主分类号: H01S5/22 分类号: H01S5/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250101 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体激光器 制作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体激光器巴条制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)在厚度为80微米-100微米的晶片上打孔,孔的行间距为0.8mm到4mm,孔的列间距为4mm到20mm;

(2)将打孔后的晶片通过溅射的方法进行双面金属化,且保证打的孔内溅射有金属,使晶片两面电导通;为防止掉金可进行退火工艺;

(3)将半导体激光器外延片按常规管芯工艺进行处理,包括P面刻脊、蒸SiO2、P面钛金工艺、刻解理槽;

(4)把经过管芯工艺处理的半导体激光器外延片和打孔并金属化的晶片在键合机中键合,形成半导体激光器外延片P面和晶片的良好键合面;

(5)将键合后的半导体激光器外延片按所需宽度解条成巴条;

(6)对巴条进行前腔面和后腔面镀膜;可以按照正常方法镀膜;

(7)按常规线性封装工艺进行巴条封装。

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