[发明专利]磁控溅射源及磁控溅射设备无效
| 申请号： | 201010281329.1 | 申请日： | 2010-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102400107A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 杨柏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;陈源 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 设备 | ||
1.一种磁控溅射源，其特征在于，包括：靶材、磁体、固定板和动力源；
所述磁体设置于所述固定板上；
所述固定板连接于所述动力源，该动力源用于驱动所述固定板绕自身中心轴旋转；
所述靶材与所述固定板同中心轴平行设置，且所述靶材与所述固定板作相对运行。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射源，其特征在于，磁体包括至少一块磁铁，所述至少一块磁铁在所述固定板不均匀地分布。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射源，其特征在于，所述靶材与固定板均环绕所述中心轴转动，所述靶材与固定板之间存在速度差。
4.根据权利要求1所述的磁控溅射源，其特征在于，所述靶材与所述固定板中的一个环绕所述中心轴转动，另一个静止。
5.根据权利要求1所述的磁控溅射源，其特征在于，所述靶材为圆形靶材或环形靶材。
6.根据权利要求1所述的磁控溅射源，其特征在于，所述靶材为中通的圆锥台结构的靶材。
7.根据权利要求6所述的磁控溅射源，其特征在于，所述靶材溅射面与自身中心轴的夹角范围为30-90度之间。
8.根据权利要求1所述的磁控溅射源，其特征在于，还包括另一动力源，所述另一动力源连接于所述靶材，用于驱动所述靶材绕自身中心轴旋转。
9.根据权利要求1所述的磁控溅射源，其特征在于，所述靶材固定在背板上，所述背板连接有加热设备，用于控制所述靶材温度。
10.一种磁控溅射设备，其特征在于包括：工艺腔室、真空泵以及采用权利要求1-8中任意一项所述的磁控溅射源。
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