[发明专利]金属氧化物半导体场效晶体管布局及结构

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效晶体管布局，其特征在于，包含：

一漏极区；

一栅极区，位于该漏极区的外侧并邻接该漏极区；

一源极区，具多个源极区块，位于该栅极区的外侧并邻接该栅极区，该些源极区块之中任两相邻的源极区块之间有一源极空白区域；以及

一基极区，具有至少两基极部，分别位于该些源极空白区域，并邻接该栅极区。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效晶体管布局，其特征在于，每一该基极部对应邻接四个源极区块。

3.根据权利要求1或2所述的金属氧化物半导体场效晶体管布局，其特征在于，每一该源极区块对应邻接一个基极部。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效晶体管布局，其特征在于，每一该基极部对应邻接三个源极区块。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效晶体管布局，其特征在于，该栅极区具有两栅极窗区，使该栅极区未完全围住该漏极区。

6.根据权利要求5所述的金属氧化物半导体场效晶体管布局，其特征在于，该基极区的该两基极部分别对应该两栅极窗区。

7.一种金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于，包含：

一第一金属氧化物半导体场效晶体管，包含：

一第一漏极；

一第一栅极，位于该第一漏极的外侧并邻接该第一漏极；

一第一源极，位于该第一栅极的外侧并邻接该第一栅极；以及

一第一基极，具有至少两第一基极部，位于该第一栅极的外侧并邻接该第一源极；以及

一第二金属氧化物半导体场效晶体管，包含：

一第二漏极；

一第二栅极，位于该第二漏极的外侧并邻接该第二漏极；

一第二源极，位于该第二栅极的外侧并邻接该第二栅极；以及

一第二基极，具有至少两第二基极部，位于该第二栅极的外侧并邻接该第二源极；

其中，该第一源极的部分区域与该第二源极的部分区域共享。

8.根据权利要求7所述的金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于，该第一源极具有多个第一源极区块且每一该第一源极区块邻接该些第一基极部的至少其中之一，该第二源极具有多个第二源极区块且每一该第二源极区块邻接该些第二基极部的至少其中之一。

9.根据权利要求7所述的金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于，该第一基极邻接该第一栅极，且该第二基极邻接该第二栅极。

10.根据权利要求7～9任一权利要求所述的金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于，该第一基极的至少一第一基极部与该第二基极的至少一第二基极部共享。

11.根据权利要求8所述的金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于，该第一漏极为四边形，每一边对应一个第一源极区块。

12.根据权利要求11所述的金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于，该第一漏极具有四个转角，且该第一基极的该两第一基极部分别对应该四个转角中的两个转角。

13.根据权利要求11所述的金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于，该第一栅极具有两延伸区，该两延伸区对应该四个转角中的另两个转角，该两延伸区的其中之一用以连接该第二栅极。

14.根据权利要求8所述的金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于，该第一漏极为六边形，每一边对应一第一源极区块。