[发明专利]用于薄膜硅光电装置的硅烷的添加剂有效
申请号: | 201010281805.X | 申请日: | 2010-09-13 |
公开(公告)号: | CN102024880A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | P·T·赫尔利;R·G·里德格威;K·A·哈奇森;J·G·兰甘 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/032;H01L31/036;H01L31/0392 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈文平;徐志明 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 薄膜 光电 装置 硅烷 添加剂 | ||
1.一种在基底上淀积作为光电导膜的太阳能级无定形硅薄膜(αSi:H)的方法,其使用
甲硅烷;
氢;和
至少一种选自以下的添加剂:
(a)更高级直链硅烷,包括:乙硅烷Si2H6、丙硅烷Si3H8、丁硅烷Si4H10、戊硅烷Si5H12、己硅烷Si6H14、庚硅烷Si7H16、辛硅烷Si8H18、壬硅烷Si9H20、癸硅烷Si10H22及其混合物;
(b)更高级支链硅烷,包括:2-甲硅烷基-丙硅烷SiH3-Si(H)(SiH3)-SiH3、2,2-二甲硅烷基-丙硅烷SiH3-Si(SiH3)2-SiH3、2-甲硅烷基-丁硅烷SiH3-Si(H)(SiH3)-SiH2-SiH3、2,3-二甲硅烷基丁硅烷SiH3-SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH3、2,2-二甲硅烷基丁硅烷SiH3-Si(SiH3)2-SiH2-SiH3、3-甲硅烷基戊硅烷SiH3-SiH2-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3、2-甲硅烷基戊硅烷SiH3-SiH(SiH3)-SiH2-SiH2-SiH3、2,3-二甲硅烷基戊硅烷SiH3-SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3、2,4-二甲硅烷基戊硅烷SiH3-SiH(SiH3)-SiH2-SiH(SiH3)-SiH3、2-甲硅烷基己硅烷SiH3-SiH(SiH3)-(SiH2)3-SiH3、3-甲硅烷基己硅烷SiH3-SiH2-SiH(SiH3)-(SiH2)2-SiH3、2,2-二甲硅烷基戊硅烷SiH3-Si(SiH3)2-(SiH2)2-SiH3、3,3-二甲硅烷基戊硅烷SiH3-SiH2-Si(SiH3)2-SiH2-SiH3、2,2,3-三甲硅烷基丁硅烷SiH3-Si(SiH3)2-SiH(SiH3)-SiH3、2-甲硅烷基庚硅烷SiH3-SiH(SiH3)-(SiH2)4-SiH3、3-甲硅烷基庚硅烷SiH3-SiH2-SiH(SiH3)-(SiH2)3-SiH3、4-甲硅烷基庚硅烷SiH3-(SiH2)2-SiH(SiH3)-(SiH2)2-SiH3、2,2-二甲硅烷基己硅烷SiH3-Si(SiH3)2-(SiH2)3-SiH3、2,3-二甲硅烷基己硅烷SiH3-SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-(SiH2)2-SiH3、2,4-二甲硅烷基己硅烷SiH3-SiH(SiH3)-SiH2-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3、2,5-二甲硅烷基己硅烷SiH3-SiH(SiH3)-(SiH2)2-SiH(SiH3)-SiH3、3,3-二甲硅烷基己硅烷SiH3-SiH2-Si(SiH3)2-(SiH2)2-SiH3、3,4-二甲硅烷基己硅烷SiH3-SiH2-SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3、2,2,3-三甲硅烷基戊硅烷SiH3-Si(SiH3)2-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3、2,2,4-三甲硅烷基戊硅烷SiH3-Si(SiH3)2-SiH2-SiH(SiH3)-SiH3、2,3,3-三甲硅烷基戊硅烷SiH3-SiH(SiH3)-Si(SiH3)2-SiH2-SiH3、2,3,4-三甲硅烷基戊硅烷SiH3-SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH3、2,2,3,3-四甲硅烷基丁硅烷SiH3-Si(SiH3)2-Si(SiH3)2-SiH3及其混合物;
(c)环硅烷,选自:环丙硅烷Si3H6、环丁硅烷Si4H8、环戊硅烷Si5H10、环己硅烷Si6H10及其混合物;
(d)甲硅烷基取代的环硅烷,选自:甲硅烷基环丁硅烷SiH3-Si4H7、1,2-二甲硅烷基环戊硅烷(SiH3)2-Si5H8、甲硅烷基环己硅烷SiH3-Si6H11、1,3-二甲硅烷基环己硅烷(SiH3)2-Si6H10及其混合物;
(e)甲硅烷基取代的硅烯,选自:2-丁硅烯SiH3-SiH=SiH-SiH3、2,3-二甲硅烷基丁硅-2-烯SiH3-Si(SiH3)=Si(SiH3)-SiH3、2,3-二甲硅烷基戊硅-2-烯SiH3-Si(SiH3)=Si(SiH3)-SiH2-SiH3、2,5-二甲硅烷基己硅-2-烯SiH3-Si(SiH3)=SiH-SiH2-SiH(SiH3)-SiH3、2,3,4-三甲硅烷基己硅-2-烯SiH3-Si(SiH3)=Si(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3及其混合物;
(f)卤代硅烷,包括:1,1-二氯乙硅烷SiHCl2SiH3、1,1,1,2-四氟乙硅烷SiF3-SiH2F、1,2-二氯-1,2-二氟丁硅烷SiHClF-SiClF-SiH2-SiH3、1,1,1-三氯丙硅烷SiCl3-SiH2-SiH3、1,1-二氟-1,2,2-三氯丙硅烷SiF2Cl-SiCl2-SiH3、氯代戊硅烷SiH2Cl-(SiH2)3-SiH3和通式为SiwH2w+2-zXz的其他化合物,其中X=F、Cl、Br、I,w可为1-20,且z可为1至2w+2;2-氯丁硅-2-烯SiH3-SiCl=SiH-SiH3、1,1-二氯-2-氟戊硅-2-烯SiHCl2-SiF=SiH2-SiH2-SiH3、2,3-二氯丁硅-2-烯SiH3-SiCl=SiCl-SiH3和通式为SiwH2w-zX’z的其他化合物,其中X’=F、Cl、Br、I,w可为2-20和z可为1至2w;及其混合物;和
(g)卤代环硅烷,选自氯代环戊硅烷Si5H9Cl、十二氯环己硅烷Si6Cl12、1-氯-1-氟环戊硅烷Si5H8FCl及其混合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的