[发明专利]一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法

权利要求书

1.一种石墨烯氧化物的形成及纳米加工方法，其特征在于具体步骤为：

利用化学气相沉积方法在提供的衬底上形成石墨烯层；

将所述石墨烯层经过氧化处理形成石墨烯氧化物；

利用温度可控的纳米尺寸热接触探针使得绝缘性的石墨烯氧化物还原为导电性的石墨烯或者石墨烯与石墨烯氧化物的混合物。

2.根据权利要求1所述的石墨烯氧化物的形成及纳米加工方法，其特征在于所述的氧化方法是采用反应离子刻蚀及远程等离子氧化，且选择半导体常用的刻蚀去胶设备进行氧化。

3.根据权利要求1所述的石墨烯氧化物的形成及纳米加工方法，其特征在于所述纳米尺寸热接触探针的温度范围为100-600℃。

4.一种单原子级热探针直写石墨烯场效应管的方法，其特征在于具体步骤为： 

利用化学气相沉积方法在提供的衬底上形成石墨烯层；

对所述石墨烯层进行氧化处理形成石墨烯氧化物；

利用温度可控的纳米尺寸热接触探针使得接触区部分石墨烯氧化物还原成为高导电率的石墨烯，形成石墨烯场效应管的源极、漏极和控制栅极；

利用温度可控的纳米尺寸热接触探针在所述源极与漏极之间形成渐变型石墨烯与石墨烯氧化物的混合物，形成石墨烯极场效应管的沟道区域。

5.根据权利要求4所述的单原子级热探针直写石墨烯场效应管的方法，其特征在于，形成所述石墨烯场效应管的源极、漏极和控制栅极时，纳米尺寸热接触探针的温度范围为200-600℃。

6.根据权利要求4所述的单原子级热探针直写石墨烯场效应管的方法，其特征在于，形成所述石墨烯极场效应管的沟道区域时，纳米尺寸热接触探针的温度范围为100-200℃。