[发明专利]集成肖特基整流器的栅增强功率MOSFET器件无效
| 申请号： | 201010282581.4 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102005478A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王颖;胡海帆;杨晓冬;焦文利 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 肖特基 整流器 增强 功率 mosfet 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成肖特基整流器的栅增强功率MOSFET器件，包括由漂移区(101)、漏区(102)、场氧化层(103)、栅电极(104)、沟道区(105)和源电极(106)构成的晶体管，其特征是：源电极(106)延伸到漂移(101)、并与漂移区(101)形成肖特基接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学，未经哈尔滨工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010282581.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子装置壳体及其制作方法
- 下一篇：软磁铁氧体磁芯的烧结方法
- 同类专利
- 专利分类
