[发明专利]在低压下实现数据断电保持的电路和方法无效
申请号: | 201010282658.8 | 申请日: | 2010-09-14 |
公开(公告)号: | CN102403987A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 王英;郑晖泽 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | H03K5/22 | 分类号: | H03K5/22 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;王青芝 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压下 实现 数据 断电 保持 电路 方法 | ||
1.一种用于集成电路IC芯片的在低压下实现数据断电保持的电路,所述电路包括:
参考电压产生电路,产生稳定的参考电压;
电压检测电路,检测电源电压;
比较电路,将电压检测电路检测的电源电压与参考电压进行比较;
其中,当检测的电源电压小于参考电压时,比较电路产生关断信号来关闭IC芯片中的耗电模块。
2.如权利要求1所述的电路,其中,参考电压产生电路具有自调节功能,通过检测产生的参考电压随工艺的变化情况来将参考电压校准至所需值。
3.如权利要求1所述的电路,其中,电压检测电路和比较电路具有低功耗特性。
4.如权利要求1所述的电路,其中,电压检测电路通过串联电阻器或者二极管式连接晶体管对电源电压进行分压来检测电源电压。
5.如权利要求2所述的电路,其中,具有自调节功能的参考电压产生电路包括第一非门、第二非门、第一与门、第二与门、第三与门、第一电阻器电阻、第二电阻器、第三电阻器、第一N沟道晶体管、第二N沟道晶体管和第三N沟道晶体管,其中,
第一非门的输入端接收第二自调节输入信号;
第二非门的输入端接收第一自调节输入信号;
第一与门的第一输入端接收第二自调节输入信号,第二输入端连接到第二非门输出端;
第二与门的第一输入端连接到第二非门的输出端,第二输入端连接到第一非门的输出端;
第三与门的第一输入端连接到第一非门的输出端,第二输入端接收第一自调节输入信号;
第一N沟道晶体管的漏极连接到第一电阻器的第二端,栅极连接到第三与门的输出端,源极接地;
第二N沟道晶体管的漏极连接到第二电阻器的第二端,栅极连接到第二与门的输出端,源极接地;
第三N沟道晶体管的漏极连接到第三电阻器的第二端,栅极连接到第一与门的输出端,源极接地;
第一电阻器的第一端接地,第二端连接到第二电阻器的第一端;
第二电阻器的第一端连接到第一电阻器的第二端,第二端连接到第三电阻器的第一端;
第三电阻器的第一端连接到第二电阻器第二端。
6.如权利要求5所述的电路,其中,第一自调节输入信号和第二自调节输入信号是数字信号。
7.如权利要求1所述的电路,其中,比较电路包括二级反相电路以增强输出的关断信号的驱动能力。
8.一种用于集成电路IC芯片的在低压下实现数据断电保持的方法,所述方法包括:
产生参考电压;
检测电源电压;
将参考电压与检测的电源电压进行比较;
根据比较结果,当检测的电源电压小于参考电压时,产生关断信号来关闭IC芯片中的耗电模块。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社,未经三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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