[发明专利]一种微型集成式紫外-热复合消解芯片有效
申请号: | 201010282765.0 | 申请日: | 2010-09-15 |
公开(公告)号: | CN102401761A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 佟建华;王敏锐;边超;夏善红;孙楫舟;李洋;白银;卞贺明;薛茜男 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G01N1/44 | 分类号: | G01N1/44 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微型 集成 紫外 复合 消解 芯片 | ||
1.一种微型集成式紫外-热复合消解芯片,其特征在于,包括微型紫外LED阵列发光单元(1)、微型热消解单元(2);其中,
微型紫外LED阵列发光单元(1),包括上衬底(3)、中间层(4)、多个微小紫外LED发光体(12)、两电极点(13);上衬底(3)下表面中部固设有多个微小紫外LED发光体(12)集成的阵列,阵列依上衬底(3)长向排列,长向两端固接有两电极点(13),两电极点(13)分别与LED发光体(12)集成的阵列两端电连接;上衬底(3)的长与中间层(4)的宽相等,将两者长向正交后叠置,LED发光体(12)集成的阵列位于中间层(4)上表面中部,通过键合技术将上衬底(3)下表面和中间层(4)上表面牢固、永久性键合在一起;
中间层(4)长向两端各设一通孔,通孔位于上衬底(3)没覆盖部分,一通孔为入口(6),另一通孔为出口(11);
中间层(4)的外形与下衬底(5)的外形相同,中间层(4)下表面和下衬底(5)上表面牢固、永久性键合在一起;
微型热消解单元(2),包括下衬底(5)、消解单元、加热系统,
中间层(4)的外形与下衬底(5)的外形相同,中间层(4)下表面和下衬底(5)上表面牢固、永久性键合在一起;
消解单元包括消解腔(8)、凹槽(14、17)、通道(15、16);上衬底(3)和中间层(4)之间的LED发光体集成的阵列正对下衬底(5)上表面中部,下衬底(5)上表面中部设有一个微型圆型消解腔(8),消解腔(8)两侧各设一凹槽(14、17),消解腔(8)在下衬底(5)上表面纵向上经通道(15、16)分别与凹槽(14、17)相通连;凹槽(14、17)分别与入口(6)、出口(11)的位置相对、直径相同,并相通连;
下衬底(5)的下表面设有加热系统,加热系统位于消解腔(8)正下方,包括加热电极(10)、隔离槽(7)、电加热丝(9);盘成圆形的电加热丝(9)位于消解腔(8)底部下方,其两端各接有一加热电极(10);在圆形电加热丝(9)的外周圆,设有多个不相连的弧状隔离槽(7),弧状隔离槽(7)放射状围在圆形电加热丝(9)的外侧,组成多个环。
2.如权利要求1所述的微型集成式紫外-热复合消解芯片,其特征在于,所述消解腔(8)、两凹槽(14、17)的深度为20-200μm,消解腔(8)的直径为50-2000μm,两凹槽(14、17)的直径为50-1000μm。
3.如权利要求1所述的微型集成式紫外-热复合消解芯片,其特征在于,所述LED发光体(12)集成的阵列和两电极点(13)的衬底与上衬底(3)下表面键合在一起,LED发光体集成的阵列所在平面与中间层(4)的上表面相接触;
LED发光体(12)集成的阵列和两电极点(13)的衬底材料是蓝宝石,或碳化硅、氮化镓材料;
LED发光体(12)外延层发光区为InxGa1-xN或AlxInyGa1-x-yN,LED发光体(12)的波长范围为200nm-400nm。
4.如权利要求1所述的微型集成式紫外-热复合消解芯片,其特征在于,所述上衬底(3)的材料为硅或玻璃,中间层(4)的材料为玻璃或石英透明材料,下衬底(5)的材料为单晶硅片。
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