[发明专利]膜沉积方法有效
申请号: | 201010282775.4 | 申请日: | 2010-09-10 |
公开(公告)号: | CN102021539A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 藤浪达也;高桥伸辅;藤绳淳;殿原浩二 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C14/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张成新 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 方法 | ||
1.一种膜沉积方法,其中膜在至少一个膜沉积室中被沉积在在圆筒形卷筒的周边表面上移动的条带形基板的表面上,所述至少一个膜沉积室包括通过使用所述卷筒的周边表面限定的空间,所述方法包括下述步骤:
预先在一个膜沉积室与包括缠绕空间的室之间设置差压室,所述缠绕空间包括所述基板开始在所述卷筒上移动的第一位置和所述基板与所述卷筒分离的第二位置中的至少一个,所述差压室与包括所述缠绕空间的所述室和所述至少一个膜沉积室连通;
将所述缠绕空间的第一压力设置为低于所述至少一个膜沉积室的第二压力;以及
利用供给至所述卷筒的电力,在所述至少一个膜沉积室中执行膜沉积。
2.根据权利要求1所述的膜沉积方法,其中,所述缠绕空间同时包括所述基板开始在所述卷筒上移动的第一位置和所述基板与所述卷筒分离的第二位置。
3.根据权利要求1或2所述的膜沉积方法,其中,包括导电接地板的接地导板设置在所述至少一个膜沉积室中,以面向所述卷筒的周边表面的除膜沉积空间之外的至少一部分。
4.根据权利要求1或2所述的膜沉积方法,还包括以下步骤:
将所述差压室的第三压力设置为高于所述至少一个膜沉积室的第二压力。
5.根据权利要求1或2所述的膜沉积方法,其中,包括导电接地板的接地导板设置在所述差压室中,以面向所述卷筒的周边表面的至少一部分。
6.根据权利要求1或2所述的膜沉积方法,其中,惰性气体被引入到所述差压室内。
7.根据权利要求1或2所述的膜沉积方法,其中,在所述至少一个膜沉积室中通过CVD将所述膜沉积在所述基板上。
8.根据权利要求1或2所述的膜沉积方法,其中,所述缠绕空间的第一压力达到所述至少一个膜沉积室的第二压力的十分之一。
9.根据权利要求1或2所述的膜沉积方法,其中,所述缠绕空间的第一压力达到1Pa。
10.根据权利要求1或2所述的膜沉积方法,
还包括用于使所述基板在预定移动路径上移动的多个导向滚子中的至少一个,
其中,所述多个导向滚子中的至少一个与所述卷筒之间的、包括所述缠绕空间的空间具有比所述至少一个膜沉积室低的压力。
11.根据权利要求10所述的膜沉积方法,
还包括缠绕室,所述缠绕室包括所述多个导向滚子中的至少一个和所述多个导向滚子中的至少一个与所述卷筒之间的所述空间,
其中,所述缠绕室是包括所述缠绕空间的所述室,以及
所述缠绕室具有比所述至少一个膜沉积室低的压力。
12.根据权利要求1或2所述的膜沉积方法,还包括:
用于供给所述基板的基板辊;
用于在所述膜沉积之后缠绕所述基板的卷绕辊;
两个导向滚子,所述两个导向滚子分别设置在所述基板辊与所述卷筒之间以及所述卷绕辊与所述卷筒之间,用于使所述基板在预定移动路径上移动;和
供给和卷绕室,所述供给和卷绕室包括所述基板辊、所述卷绕辊、和所述两个导向滚子,
其中,所述供给和卷绕室是包括所述缠绕空间的所述室,以及
所述供给和卷绕室具有比所述至少一个膜沉积室低的压力。
13.根据权利要求1或2所述的膜沉积方法,其中,所述至少一个膜沉积室包括多个膜沉积室,并且所述缠绕空间的第一压力低于所述多个膜沉积室中的具有最低压力的一个膜沉积室的压力。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的