[发明专利]一种硅片的硼铝共吸杂方法有效
申请号: | 201010283048.X | 申请日: | 2010-09-16 |
公开(公告)号: | CN101944554A | 公开(公告)日: | 2011-01-12 |
发明(设计)人: | 杨德仁;顾鑫;樊瑞新;余学功 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 硼铝共吸杂 方法 | ||
1.一种硅片的硼铝共吸杂方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在铝浆中加入硼源,搅拌均匀,得到混合浆料;其中,硼元素在所述的混合浆料中的质量分数为0.01%-8%;
(2)将硅片用RCA液清洗,干燥;
(3)在步骤(2)得到的硅片的两面丝网印刷或旋涂上由步骤(1)制得的混合浆料,烘干后在硅片表面形成硼铝层;
(4)将步骤(3)得到的硅片在保护气体下在650~1000℃的退火温度下进行热处理,所述的保护气体为氮气、氩气、氧气或洁净干燥的空气;
(5)将经步骤(4)热处理后的硅片用体积比为1∶0.05~1∶2的硝酸溶液和氢氟酸溶液的混合溶液浸泡不超过3min,并用去离子水清洗多次,烘干;其中,硝酸的质量百分比浓度为40-65%,氢氟酸的质量百分比浓度为30-40%。
2.如权利要求1所述的硼铝共吸杂方法,其特征在于,所述的硼源为固态硼源或者液态硼源,所述的固态硼源为单质硼、三氧化二硼、硼酸或硼酸盐,所述的液态硼源为三氧化二硼有机溶液或含硼有机化合物。
3.如权利要求1所述的硼铝共吸杂方法,其特征在于,所述的固态硼源的颗粒大小为0.5~10μm。
4.如权利要求1所述的硼铝共吸杂方法,其特征在于,所述的固态硼源的颗粒大小为为1-5μm。
5.如权利要求1所述的硼铝共吸杂方法,其特征在于,所述的步骤(1)中,所述的硼元素在所述的混合浆料中的质量分数为1%-5%。
6.如权利要求1所述的硼铝共吸杂方法,其特征在于,所述的步骤(3)中,所述的铝硼层的厚度为1-50μm。
7.如权利要求1所述的硼铝共吸杂方法,其特征在于,所述的步骤(4)中,所述的热处理为常规热处理,在退火炉中进行,热处理时间为0.2-10h,硅片随炉自然冷却或快速冷却。
8.如权利要求1所述的硼铝共吸杂方法,其特征在于,所述的步骤(4)中,所述的热处理为快速热处理,在快速热处理炉中进行,热处理时间为0.5-10min,硅片随炉自然冷却或快速冷却。
9.如权利要求7所述的硼铝共吸杂方法,其特征在于,所述的热处理过程分为两步,第一步为在800-1000℃热处理0.5-2h,第二步为在700-850℃热处理0.5-2h。
10.如权利要求8所述的硼铝共吸杂方法,其特征在于,所述的热处理过程分为两步,第一步为800-1000℃热处理0.5-4min,第二步为700-850℃热处理0.5-4min。
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