[发明专利]一种太阳电池硅片的表面织构方法

权利要求书

1.一种太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)制备纳米级银颗粒溶液，所述的银颗粒的平均尺寸为5～50nm；

(2)去除硅片表面损伤层，并对硅片进行预织构，得到预织构硅片；

(3)将步骤(1)制得的纳米级银颗粒溶液均匀涂覆在步骤(2)得到的预织构硅片上，干燥；其中，涂覆的厚度为0.1～1mm，干燥温度为80～100℃；

(4)将步骤(3)制得的产物浸泡在由双氧水溶液、氢氟酸溶液和无水乙酸组成的混合溶液中30s～10min，双氧水溶液与氢氟酸溶液体积比为1∶0.2～1∶2，氢氟酸溶液与无水乙酸体积比为1∶100～1∶1；其中，双氧水溶液的质量百分比浓度为25-35％，氢氟酸溶液的质量百分比浓度为35-45％；

(5)将步骤(4)得到的产物浸泡在质量百分比浓度为40％～60％的硝酸中1～10min，并用去离子水清洗。

2.如权利要求1所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的银颗粒的平均尺寸为5～25nm。

3.如权利要求1所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，所述的纳米级银颗粒溶液由硝酸银与乙二醇反应制得，硝酸银与乙二醇质量比为1∶1000～1∶50，反应温度为25～150℃。

4.如权利要求3所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，在硝酸银与乙二醇反应中添加聚乙烯吡咯烷酮或聚醚酰亚胺，聚乙烯吡咯烷酮与硝酸银的质量比为6∶1～3∶1，聚醚酰亚胺与硝酸银的质量比为6∶1～3∶1。

5.如权利要求1所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，所述的硅片为单晶硅片或是多晶硅片。

6.如权利要求1所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，所述的硅片为单晶硅片时，步骤(2)采取以下的方法：

使用碱溶液去除硅片表面损伤层，所述的碱为强碱，碱溶液中碱的质量百分比浓度为8％～25％，腐蚀时间为5～20min，腐蚀温度为50～100℃；

使用碱溶液对硅片进行预织构，在硅片表面得到金字塔形貌，其中所述的碱为强碱，碱溶液中碱的质量百分比浓度为1％～5％，腐蚀时间30～90min，腐蚀温度为50～100℃；

其中，所述的强碱为KOH、NaOH或NaF。

7.如权利要求6所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，

使用碱溶液去除硅片表面损伤层，所述的碱溶液为质量百分比浓度为10％～15％的氢氧化钾溶液，腐蚀时间8～13min，腐蚀温度为75～85℃；

使用碱溶液对硅片进行预织构，所述的碱溶液为质量百分比浓度为2％～4.5％的氢氧化钾溶液，腐蚀时间45～72min，腐蚀温度为75～85℃。

8.如权利要求1所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，所述的硅片为多晶硅片时，步骤(2)采取以下的方法：

使用酸混合溶液去除硅片表面损伤层和对硅片进行预织构，所述的酸混合溶液为硝酸溶液和氢氟酸溶液的水溶液，硝酸溶液和氢氟酸溶液的体积比为20∶1～10∶1，氢氟酸溶液与去离子水的体积比为1∶1～1∶10，其中硝酸溶液的质量百分比浓度为50-65％，氢氟酸溶液的质量百分比浓度为35-45％，腐蚀时间为3～20min，腐蚀温度为20～30℃。

9.如权利要求8所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，所述的硅片为多晶硅片时，步骤(2)采取以下的方法：

所述的硝酸溶液与所述的氢氟酸溶液的体积比为18∶1～12∶1，所述的氢氟酸溶液与去离子水的体积比为1∶3～1∶10，腐蚀时间3～10min。

10.如权利要求1所述的太阳电池硅片的表面织构方法，其特征在于，步骤(4)中反应温度为20～25℃，反应时间为30s～5min，所述的双氧水溶液与所述的氢氟酸溶液体积比为1∶0.2～1∶1.2，所述的氢氟酸溶液与无水乙酸体积比为1∶35～1∶1。