[发明专利]用于CMOS图像传感器的结合处理

权利要求书

1.一种制造集成电路(IC)的方法，包括：

在衬底的前侧上形成电器件；

在所述衬底的所述前侧上形成顶部金属焊盘，所述顶部金属焊盘连接至所述电器件；

在所述衬底的所述前侧上形成钝化层，所述顶部金属焊盘被嵌入所述钝化层中；

在所述钝化层中形成开口，使所述顶部金属焊盘暴露；

在所述衬底中形成深沟槽；

将导电材料填充在所述深沟槽和所述开口中，得到所述深沟槽中的晶圆通孔(TWV)部件和开口中的焊盘-TWV部件，其中，所述顶部金属焊盘通过所述焊盘-TWV部件连接至所述TWV部件；以及

去除多余的导电材料，形成基本平坦的表面。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在去除所述多余的导电材料之后，在所述衬底的所述前侧上形成介电层；

从后侧研磨所述衬底，以使所述TWV部件暴露；以及

从所述后侧蚀刻划线区域中的所述衬底以形成划线沟槽。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述划线沟槽的表面上形成电介质材料层；

在所述电介质材料层上形成涂布阻焊模(CSM)；

在所述衬底的所述后侧和所述CSM上形成外接引线，所述外接引线连接至所述TWV部件；以及

在所述CSM上形成焊块。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电材料的填充包括：

在所述开口和所述深沟槽中形成隔离层；

对所述隔离层执行干蚀刻，以去除所述开口的第一底面和所述深沟槽的第二底面上的隔离层；

使用物理汽相沉积(PVD)在所述隔离层、所述第一底面和所述第二底面上形成铜晶种层；以及

通过电镀在所述铜晶种层上形成块体铜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电器件的所述形成包括：在所述衬底的前侧上形成互补金属氧化物半导体(CMOS)图像感测元件；以及

在所述衬底的所述前侧上形成多个滤色器和多个透镜。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述衬底的所述前侧的划线区域中形成环氧树脂部件；

将所述衬底从所述前侧附着到晶圆载具上；以及

切割所述划线沟槽中的所述集成电路。

7.一种形成集成电路的方法，包括：

在硅衬底的前表面中形成半导体器件；

从所述硅衬底的所述前侧在所述半导体器件上形成多层互连层(MLI)；

在所述MLI上形成金属焊盘，所述金属焊盘与所述半导体器件连接；

在所述金属焊盘和所述硅衬底上形成电介质层，所述金属焊盘被嵌入所述电介质层；

蚀刻所述电介质层以在所述电介质层中形成沟槽，露出所述沟槽中的所述金属焊盘；

执行电介质蚀刻以在所述MLI中形成通孔；

执行硅蚀刻以继续使所述通孔通过所述硅衬底，以形成硅通孔(TSV)；

在所述TSV和所述沟槽上使铜金属化；以及

之后进行化学机械抛光(CMP)处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述使铜金属化包括：

通过溅射形成铜晶种层；以及

通过电镀在所述铜晶种层上形成块体铜。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述使铜金属化进一步包括：在形成所述铜晶种层和形成所述块体铜之前：

在所述沟槽和所述TSV中形成隔离层；以及

对所述隔离层执行干蚀刻，以去除所述沟槽的第一底面和所述TSV的第二底面上的隔离层。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述CMP处理之后形成钝化层；

在所述钝化层上形成滤色器；

从后侧研磨所述硅衬底；以及

在所述集成电路的后侧设置结合机构，所述结合机构连接至所述TSV，

其中，设置所述结合机构包括：

在所述衬底的所述后侧上形成涂布阻焊模(CSM)；

形成从所述CSM延伸到所述TSV的导电部件；以及

在所述导电部件上形成焊球，所述导电部件位于所述焊球和所述CSM之间。

11.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：将所述硅衬底从所述前表面附着到载体衬底上。