[发明专利]固体摄像装置有效

专利信息
申请号: 201010283600.5 申请日: 2010-09-10
公开(公告)号: CN102034836A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 永田一博 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固体 摄像 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及固体摄像装置。

背景技术

作为固体摄像装置,已知有以CMOS图像传感器为代表的CMOS固体摄像装置、和以CCD图像传感器为代表的CCD固体摄像装置。CMOS固体摄像装置有表面入射型(front-side illumination)固体摄像装置、和背面照射型(back-side illumination)固体摄像装置。在表面入射型固体摄像装置中,入射光入射到半导体基板的表面。在背面入射型固体摄像装置中,入射光入射到半导体基板的背面。

背面照射型固体摄像装置与这样的表面入射型固体摄像装置相比,能够实现高画质化及多像素化,近年来被广泛地开发。在日本特开2005-268643号公报中公开了这种背面照射型固体摄像装置。

在该专利公报所示的背面照射型固体摄像装置中,具有微透镜、和形成有光电变换部的硅基板,其中由该微透镜聚光的光入射到光电变换部。微透镜是低折射率,由有机材料构成。硅基板是高折射率。当光从微透镜向光电变换部入射时,因入射光的干涉而发生图像的劣化,入射光的透射率下降。

发明内容

需要抑制这样的入射光的干涉。

根据一个实施方式,提供一种固体摄像装置。该装置具有半导体基板。在该半导体基板的表面区域中设有第1至第3光电变换部。蓝色滤色器设在对应于上述第1光电变换部的位置,具有带来第1光程的膜厚。绿色滤色器设在对应于上述第2光电变换部的位置,具有带来比上述第1光程长的第2光程的膜厚。红色滤色器设在对应于上述第3光电变换部的位置,具有带来比上述第2光程长的第3光程的膜厚。

平坦化膜,形成在上述蓝色、绿色及红色的滤色器(多个)上,使上述滤色器(多个)的阶差平坦化。微透镜(多个),分别设在对应于上述第1至第3光电变换部的位置,并且设在上述平坦化膜上。

根据另一技术方案,提供一种固体摄像装置。该装置具备具有两个主面的半导体基板。在该半导体基板的上述主面(多个)的一个主面上形成有配线区域部。

在半导体基板中与上述一个主面相接的表面区域中形成有第1至第3光电变换部。

蓝色滤色器在上述半导体基板的上述主面(多个)中的另一个主面侧设在对应于上述第1光电变换部的位置上,具有带来第1光程的膜厚。绿色滤色器在上述半导体基板的上述主面(多个)中的另一个主面侧设在对应于上述第2光电变换部的位置上,具有带来比上述第1光程长的第2光程的膜厚。红色滤色器在上述半导体基板的上述主面(多个)中的另一个主面侧设在对应于上述第3光电变换部的位置上,具有带来比上述第2光程长的第3光程的膜厚。

平坦化膜形成在上述蓝色、绿色及红色的滤色器(多个)上,使上述滤色器(多个)的阶差平坦化。微透镜(多个),在上述平坦化膜上分别设在对应于上述第1至第3光电变换部的位置上。

附图说明

图1是示意地表示实施方式的背面照射型固体摄像装置的剖视图。

图2是用来说明由滤色器发生的入射光的干涉的图。

图3是表示光入射到滤色器时的、其光程与相干性(coherency)的关系的图。

图4是表示带来滤色器的膜厚的整数m与相干性及该膜厚的关系的图。

具体实施方式

以下,参照附图对实施方式进行说明。在附图中,相同的标号表示相同或类似的部分。

图1是示意地表示该实施方式的固体摄像装置的剖视图。

如图1所示,固体摄像装置80是光入射到硅基板1的背面、即硅基板1的两个主面1a、1b之中与形成配线区域部的一个主面1a相反侧的主面1b上的背面照射型固体摄像装置。

固体摄像装置80是CMOS图像传感器,具有作为进行入射光的光电变换的像素的光电变换部(多个)2。由光电变换部(多个)2进行了光电变换后的信号通过信号处理部(未图示)进行信号处理。

固体摄像装置80在要求高画质化及多像素化的带有照相机的便携电话机、数字照相机、数字摄像机等中使用。上述入射光是相干长度为几μm左右的自然光(阳光)或相干长度为约3μm左右的荧光灯或电灯的光。

硅基板1面朝下(face down)地配置。具体而言,硅基板1的主面1a侧配置在图1的下方向,主面1b(背面)侧配置在图1的上方向。硅基板1的折射率处于例如3.5~5.2的范围中,比滤色器6a~6d及微透镜(多个)8的折射率大。在硅基板1的表面1a上,以二维状设有上述光电变换部(多个)2。

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