[发明专利]固体摄像装置有效
申请号: | 201010283600.5 | 申请日: | 2010-09-10 |
公开(公告)号: | CN102034836A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 永田一博 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
技术领域
本发明涉及固体摄像装置。
背景技术
作为固体摄像装置,已知有以CMOS图像传感器为代表的CMOS固体摄像装置、和以CCD图像传感器为代表的CCD固体摄像装置。CMOS固体摄像装置有表面入射型(front-side illumination)固体摄像装置、和背面照射型(back-side illumination)固体摄像装置。在表面入射型固体摄像装置中,入射光入射到半导体基板的表面。在背面入射型固体摄像装置中,入射光入射到半导体基板的背面。
背面照射型固体摄像装置与这样的表面入射型固体摄像装置相比,能够实现高画质化及多像素化,近年来被广泛地开发。在日本特开2005-268643号公报中公开了这种背面照射型固体摄像装置。
在该专利公报所示的背面照射型固体摄像装置中,具有微透镜、和形成有光电变换部的硅基板,其中由该微透镜聚光的光入射到光电变换部。微透镜是低折射率,由有机材料构成。硅基板是高折射率。当光从微透镜向光电变换部入射时,因入射光的干涉而发生图像的劣化,入射光的透射率下降。
发明内容
需要抑制这样的入射光的干涉。
根据一个实施方式,提供一种固体摄像装置。该装置具有半导体基板。在该半导体基板的表面区域中设有第1至第3光电变换部。蓝色滤色器设在对应于上述第1光电变换部的位置,具有带来第1光程的膜厚。绿色滤色器设在对应于上述第2光电变换部的位置,具有带来比上述第1光程长的第2光程的膜厚。红色滤色器设在对应于上述第3光电变换部的位置,具有带来比上述第2光程长的第3光程的膜厚。
平坦化膜,形成在上述蓝色、绿色及红色的滤色器(多个)上,使上述滤色器(多个)的阶差平坦化。微透镜(多个),分别设在对应于上述第1至第3光电变换部的位置,并且设在上述平坦化膜上。
根据另一技术方案,提供一种固体摄像装置。该装置具备具有两个主面的半导体基板。在该半导体基板的上述主面(多个)的一个主面上形成有配线区域部。
在半导体基板中与上述一个主面相接的表面区域中形成有第1至第3光电变换部。
蓝色滤色器在上述半导体基板的上述主面(多个)中的另一个主面侧设在对应于上述第1光电变换部的位置上,具有带来第1光程的膜厚。绿色滤色器在上述半导体基板的上述主面(多个)中的另一个主面侧设在对应于上述第2光电变换部的位置上,具有带来比上述第1光程长的第2光程的膜厚。红色滤色器在上述半导体基板的上述主面(多个)中的另一个主面侧设在对应于上述第3光电变换部的位置上,具有带来比上述第2光程长的第3光程的膜厚。
平坦化膜形成在上述蓝色、绿色及红色的滤色器(多个)上,使上述滤色器(多个)的阶差平坦化。微透镜(多个),在上述平坦化膜上分别设在对应于上述第1至第3光电变换部的位置上。
附图说明
图1是示意地表示实施方式的背面照射型固体摄像装置的剖视图。
图2是用来说明由滤色器发生的入射光的干涉的图。
图3是表示光入射到滤色器时的、其光程与相干性(coherency)的关系的图。
图4是表示带来滤色器的膜厚的整数m与相干性及该膜厚的关系的图。
具体实施方式
以下,参照附图对实施方式进行说明。在附图中,相同的标号表示相同或类似的部分。
图1是示意地表示该实施方式的固体摄像装置的剖视图。
如图1所示,固体摄像装置80是光入射到硅基板1的背面、即硅基板1的两个主面1a、1b之中与形成配线区域部的一个主面1a相反侧的主面1b上的背面照射型固体摄像装置。
固体摄像装置80是CMOS图像传感器,具有作为进行入射光的光电变换的像素的光电变换部(多个)2。由光电变换部(多个)2进行了光电变换后的信号通过信号处理部(未图示)进行信号处理。
固体摄像装置80在要求高画质化及多像素化的带有照相机的便携电话机、数字照相机、数字摄像机等中使用。上述入射光是相干长度为几μm左右的自然光(阳光)或相干长度为约3μm左右的荧光灯或电灯的光。
硅基板1面朝下(face down)地配置。具体而言,硅基板1的主面1a侧配置在图1的下方向,主面1b(背面)侧配置在图1的上方向。硅基板1的折射率处于例如3.5~5.2的范围中,比滤色器6a~6d及微透镜(多个)8的折射率大。在硅基板1的表面1a上,以二维状设有上述光电变换部(多个)2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的