[发明专利]驱动电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种驱动电路，特别涉及一种具备有开漏极(open drain)型输出晶体管(transistor)的驱动电路。

背景技术

从以往，为人所知有一种具备开漏极型输出晶体管的驱动电路。此种驱动电路，是例如用以驱动萤光显示管等自发光元件而使用。

图4是显示萤光显示管的驱动电路10的构成的图。如图示，该驱动电路10是构成为于半导体芯片11上，包含由高耐压的P沟道(channel)型MOS晶体管所构成的输出晶体管T1至Tm，以及由金属接垫(pad)所构成的输出端子P1至Pm。

于输出晶体管T1至Tm的源极(source)是施加有正的电源电压VDD(+5V)，于输出晶体管T1至Tm的栅极(gate)是分别施加开关(switching)控制信号C1至Cm。输出晶体管T1至Tm的漏极是分别连接至输出端子P1至Pm。

并且，输出端子P1至Pm是分别连接至设置于半导体芯片11的外部的萤光显示管VFD1至VFDm的阳极(anode)。负的高电压VPP(例如，-80V)是施加于萤光显示管VFD1至VFDm的称为灯丝(filament)的阴极(cathode)。

在此，当输出晶体管Tx导通(on)时，对应的输出端子Px的电压是成为电源电压VDD，于阳极-阴极间产生VDD+VPP的电压差(例如85V)，借此，从对应的萤光显示管VFDx的阴极放出的热电子，通过插设于阳极-阴极间的萤光体而流至阳极。借此，萤光显示管VFDx点亮。

另一方面，当输出晶体管Tx关断(off)时，由于对应的萤光显示管VFDx的阳极-阴极间的电位差消失，热电子不会于萤光体中流动，故萤光显示管VFDx熄灭。此时，由于VDD+VPP的高电压是施加于输出晶体管Tx的源极-漏极间，故输出晶体管Tx必须为具有能承受如此高电压的耐压的高耐压晶体管。

此种电动电路是例如记载于下述的专利文献1，(专利文献1)日本特开2001-209343号公报。

发明内容

(发明所欲解决的问题)

如上所述，输出晶体管T1至Tm必须具有高耐压特性，为了确保这种特性，而在晶圆(wafer)的完成阶段进行耐压检查。此时，将输出晶体管T1至Tm设定为关断。接着，使探针接触至输出端子P1至Pm，并施加负的高电压VPP(例如，-80V)，测定输出晶体管T1至Tm的漏(leak)电流即可。

之后，通过划线(scribe)工艺，将晶圆切断成许多的半导体芯片11，并仅拣选通过前述耐压检查的半导体芯片11，进行半导体芯片11的装配工艺。

然而，在输出端子P1至Pm非常多、如数百支到数千支的情形中，存在有量测仪器的探针的支数不足、测定时间拉长等问题。

(解决问题的手段)

本发明为鉴于前述的问题点所开发，本发明的驱动电路是具备有：多个输出晶体管，由施加正的电压于源极的P沟道型MOS晶体管所构成；开关控制电路，控制所述输出晶体管的开关；多个输出端子，分别连接至所述多个输出晶体管的各漏极；多个整流元件，阳极分别连接至所述多个输出晶体管的各漏极；以及控制端子，共同连接于所述多个整流元件的阴极。

(发明效果)

依据本发明的驱动电路，通过使用共同连接于多个输出晶体管的漏极的控制端子，可不进行使用探针的量测，而成批检查输出晶体管T1至Tm的耐压特性。

此外，通过于所述控制端子施加既定电压，于驱动电路的启动时等，也可初期设定输出晶体管T1至Tm的漏极的电压。

此外，通过于所述控制端子施加既定电压以量测漏电流，也可进行驱动电路的内部线路的短路检查。

附图说明

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下，其中：

图1是显示本发明第一实施例的驱动电路的构成的图。

图2是显示本发明第二实施例的驱动电路的构成的图。

图3是本发明第二实施例的驱动电路的部分剖面图。

图4是显示现有技术的驱动电路的构成的图。

具体实施方式

(第一实施例)

依据图1说明本发明的第一实施例。如图示，驱动电路1是构成为于半导体芯片2上包含：由高耐压的P沟道型MOS晶体管所构成的输出晶体管T1至Tm；开关控制电路SCL1至SCLm；由金属接垫所构成的输出端子P1至Pm；二极管DO1至DOm(“整流元件”的一例)；以及控制端子PX。