[发明专利]金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法无效
| 申请号： | 201010284183.6 | 申请日： | 2010-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102403198A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 介质 结构 刻蚀 清洗 方法 | ||
1.一种金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法，包括：
提供半导体衬底；
在半导体衬底上依次形成高K栅介质层、金属栅层、多晶硅层和掩膜层；
对所述掩膜层、多晶硅层、金栅属层和高K栅介质层进行刻蚀以形成栅极图案；
采用包括氢氟酸的混合溶液对所述半导体衬底和栅极图案进行清洗。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述金属栅层和高K栅介质层进行刻蚀的步骤包括：
刻蚀所述金属栅层和高K栅介质层后，在所述半导体衬底上保留部分高K栅介质层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述半导体衬底上保留高K栅介质层的厚度小于等于1纳米。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述金属栅层和高K栅介质层进行刻蚀的步骤包括：
对所述金属栅层和高K栅介质层进行刻蚀时完全去除高K栅介质层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属栅层的材料包括TaN、TiN、MoN、Ru、Mo中任一种或多种的组合。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述金属栅层包括至少一层金属栅材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述高K栅介质层的材料包括HfO2、HfAlON、HfSiAlON、HfTaAlON、HfTiAlON、HfON、HfSiON、HfTaON、HfTiON中的任一种或多种的组合。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述混合溶液中氢氟酸的质量百分含量为0.045-2.15％。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，清洗时的温度为20-50℃。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述混合溶液中进一步包括盐酸。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述混合溶液中按质量百分比计，氢氟酸为0.05-1.5％，盐酸为4.23-15％。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述混合溶液中进一步包括硝酸。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述混合溶液中按质量百分比计，氢氟酸为0.04-2.2％，硝酸为9.36-34％。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，所述混合溶液中进一步包括有机溶剂。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述有机溶剂包括异丙醇或无水乙醇。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
