[发明专利]动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，包括：

提供基底，该基底包括存储单元区；

于该基底的该存储单元区上形成多晶硅模板层；

于该多晶硅模板层上形成支撑层；

形成穿过该支撑层、该多晶硅模板层的多个开孔；

至少于该开孔所暴露的该多晶硅模板层上形成衬层；

于该基底上形成实质上共形的导电层；以及

移除该支撑层上的该导电层，从而形成多个电容器下电极。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，还包括：

于该基底上方形成封闭层，以封闭该多个开孔；

除去部分该封闭层与部分该支撑层，以暴露出该衬层与该多晶硅模板层；以及

除去剩余的该封闭层、该衬层与该多晶硅模板层。

3.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，其中该基底还包括周边电路区，在该基底的该存储单元区上形成该多晶硅模板层的步骤包括：

于该基底上形成多晶硅层；

移除该周边电路区上的该多晶硅层；以及

于该基底的该周边电路区上形成绝缘层。

4.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，其中该基底还包括周边电路区，在该基底的该存储单元区上形成该多晶硅模板层的步骤包括：

于该基底上形成绝缘层；

移除该存储单元区上的该绝缘层；以及

于该基底的该存储单元区上形成多晶硅层。

5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，其中该衬层的形成方法包括热氧化法或化学气相沉积法。

6.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，其中形成穿过该支撑层、该多晶硅模板层的多个开孔的步骤之后，还包括：

移除部分该多晶硅模板层，以增大该多个开孔的宽度。

7.如权利要求6所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，其中移除部分该多晶硅模板层，以增大该多个开孔的宽度的方法包括湿蚀刻。

8.如权利要求6所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，其中该衬层的形成方法包括热氧化法或化学气相沉积法。

9.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，其中于该基底的该存储单元区上形成该多晶硅模板层的步骤前，还包括于该基底上形成垫层。

10.如权利要求9所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，其中于该基底上形成该导电层的步骤前，还包括移除一部分该衬层以及一部分该垫层已暴露该基底中的导电结构。

11.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，其中除去剩余的该封闭层、该衬层与该多晶硅模板层的方法包括湿蚀刻。

12.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，其中该多晶硅模板层的形成方法包括化学气相沉积法。

13.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，其中该支撑层的材料包括氮化硅或氧化硅。

14.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，其中该导电层包括氮化钛与钛构成的复合层。