[发明专利]具有高功函数电极的金属氧化物电阻基半导体存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

一金属氧化物存储器元件，是以电串联配置于沿着在至少一第一电极及一第二电极间的一电流路径，一金属氧化物存储器元件邻近于该第一电极，其中，该第一电极包括具有一第一功函数的一电极材料，该金属氧化物存储器元件包括具有一第二功函数的一金属氧化物材料，以及该第一功函数大于该第二功函数。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该第一电极是一上电极，而该第二电极是一下电极。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，穿过该电流路径的电流是以热离子放射为特征。

4.根据权利要求1的存储器装置，其特征在于，该电极材料包括下列金属的其中至少之一：Yb、Tb、Y、La、Sc、Hf、Zr、Al、Ta、Ti、Nb、Cr、V、Zn、W、Mo、Cu、Re、Ru、Co、Rh、Pd及Pt。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该电流路径更包括至少一金属元件在该金属氧化物存储器元件和该第二电极之间。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，更包括至少为100的一系数的一电阻范围。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该电极材料更包括具有形成一氧化物的一第一自由能的一金属，该第一自由能与形成该金属氧化物存储器元件中的该金属氧化物材料的一第二自由能相似。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该电极材料更包括具有形成一氧化物的一第一自由能的一金属，该第一自由能的范围是在形成该金属氧化物存储器元件中的该金属氧化物材料的一第二自由能的0.1eV内。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，更包括不大于300微安培的一复位电流及不大于200微安培的一设置电流。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，更包括不大于每平方厘米1.2百万安培的一复位电流密度及不大于每平方厘米0.75百万安培的一设置电流密度。

11.一种存储器装置，其特征在于，包括：

多条字线；

多条位线；以及

受该多条字线及该多条位线所存取的多个存储器单元，在该多个存储器单元中的存储器单元包括：

一金属氧化物存储器元件，是以电串联配置于沿着在该多条字线的至少一字线及该多条位线的至少一位线间的一电流路径，其中，该金属氧化物存储器元件是邻近于具有有一第一功函数的一电极材料的一第一电极，该金属氧化物存储器元件包括具有一第二功函数的一金属氧化物材料，以及该第一功函数大于该第二功函数。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其特征在于，该第一电极是一上电极，而该第二电极是一下电极。

13.根据权利要求11所述的存储器装置，其特征在于，穿过该电流路径的电流是以热离子放射为特征。

14.根据权利要求11的存储器装置，其特征在于，该电极材料包括下列金属的其中至少之一：Yb、Tb、Y、La、Sc、Hf、Zr、Al、Ta、Ti、Nb、Cr、V、Zn、W、Mo、Cu、Re、Ru、Co、Rh、Pd及Pt。

15.根据权利要求11所述的存储器装置，其特征在于，该电流路径更包括至少一金属元件在该金属氧化物存储器元件和该第二电极之间。

16.根据权利要求11所述的存储器装置，其特征在于，在该多个存储器单元中的存储器单元更包括至少为100的一系数(factor)的一电阻范围。

17.根据权利要求11所述的存储器装置，其特征在于，该电极材料更包括具有形成一氧化物的一第一自由能的一金属，该第一自由能与形成该金属氧化物存储器元件中的该金属氧化物材料的一第二自由能相似。

18.根据权利要求11所述的存储器装置，其特征在于，该电极材料更包括具有形成一氧化物的一第一自由能的一金属，该第一自由能的范围是在形成该金属氧化物存储器元件中的该金属氧化物材料的一第二自由能的0.1eV内。