[发明专利]电源启动检测电路有效
申请号: | 201010284960.7 | 申请日: | 2010-09-16 |
公开(公告)号: | CN102025263A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 张峻旗;张家祥;陈俊成 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司;创意电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 启动 检测 电路 | ||
1.一种电源启动检测电路,包括:
一第一与一第二比较器电路,各包括一第一输入与一第二输入,该第一与第二比较器电路的所述第一输入自一参考电压源端点接收一参考电压;
一分压器电路,包括一第一、一第二与一第三电阻,该第一与第二电阻耦接于一第一端点,该第二与第三电阻耦接于一第二端点,该分压器的该第一端点耦接至该第一比较器电路的该第二输入,并且该分压器的该第二端点耦接至该第二比较器电路的该第二输入;
一检测电路,耦接于一第一电压源端点与该分压器电路的该第一电阻之间,当该第一电压源端点具有一电位高于一接地电位时,该检测电路产生一控制信号,该控制信号控制该第一与第二比较器电路的开启与关闭;以及
一逻辑电路,耦接至该第一与第二比较器电路的一输出,该逻辑电路根据该第一与第二比较器电路的所述输出产生一电源识别信号。
2.如权利要求1所述的电源启动检测电路,其中该检测电路包括:
一第一金属氧化物半导体晶体管,包括一源极耦接至该第一电压源端点;
一第二MOS晶体管,包括一源极与一漏极,该第二MOS晶体管的该漏极耦接至该第一MOS晶体管的一漏极;
一第三MOS晶体管,包括一漏极耦接至该分压器的该第一电阻、一源极耦接至该第一电压源端点,以及一栅极耦接该第一与第二MOS晶体管的所述漏极于一第三端点;
一电容,耦接于该第一电压源端点以及该第三端点之间;以及
一反相器,耦接至该第三端点与该第一与第二比较器电路,
其中该第一与第二MOS晶体管的一栅极耦接至该参考电压源端点。
3.如权利要求1所述的电源启动检测电路,其中该第一比较器电路包括一差动放大器,用以产生一输出信号,以识别该分压器的该第一端点的一电位是否高于该参考电压的一电位,并且其中该第一比较器电路包括一第一与一第二MOS晶体管,各具有一栅极分别用以收该控制信号。
4.如权利要求1所述的电源启动检测电路,其中该第二比较器电路包括一差动放大器,用以产生一输出信号,以识别该分压器的该第二端点的一电位是否高于该参考电压的一电位,并且其中该第二比较器电路包括一第一与一第二MOS晶体管,各具有一栅极分别用以收该控制信号,并且该第一与第二MOS晶体管各包括一去耦电容,分别跨接于一源极与一漏极之间。
5.如权利要求1所述的电源启动检测电路,其中该逻辑电路包括接收该控制信号做为输入的一与逻辑栅。
6.一种电源启动检测电路,包括:
一第一与一第二比较器电路,各包括一第一输入与一第二输入,该第一与第二比较器电路的所述第一输入耦接至具有一参考电压电平的一参考电压端点;
一分压器电路,包括一第一与一第二端点,该第一端点耦接至该第一比较器电路的该第二输入,并且该第二端点耦接至该第二比较器电路的该第二输入;
一检测电路,耦接于一第一电压源端点与该分压器之间,当该第一电压源端点具有一电位高于一接地电位时,该检测电路产生一控制信号,该控制信号控制该第一与第二比较器电路的开启与关闭;以及
一逻辑电路,耦接至该第一与第二比较器电路的一输出,该逻辑电路根据接收自该第一与第二比较器电路的所述输出产生一电源识别信号,
其中该第一比较器电路还包括一差动放大器,用以产生一输出信号,以识别该第一端点的一电位是否高于该参考电压的一电位,以及一第一与一第二MOS晶体管,各具有一栅极分别用以收该控制信号。
7.如权利要求6所述的电源启动检测电路,其中该第二比较器电路包括一差动放大器,用以产生一输出信号,以识别该第二端点的一电位是否高于该参考电压的一电位,并且其中该第二比较器电路包括一第一与一第二MOS晶体管,各具有一栅极分别用以收该控制信号,并且该第一与第二MOS晶体管各包括一去耦电容,分别跨接于一源极与一漏极之间。
8.如权利要求6所述的电源启动检测电路,其中该逻辑电路包括一与逻辑栅用以接收该控制信号作为一输入,并且输出该电源识别信号。
9.如权利要求6所述的电源启动检测电路,其中该分压器电路包括一第一、一第二与一第三电阻,该第一与第二电阻耦接于该第一端点,并且该第二与第三电阻耦接于该第二端点。
10.如权利要求6所述的电源启动检测电路,其中该检测电路包括:
一第一金属氧化半导体晶体管,包括一源极耦接至该第一电压源端点;
一第二MOS晶体管,包括一源极与一漏极,该第二MOS晶体管的该漏极耦接至该第一MOS晶体管的一漏极;
一第三MOS晶体管,包括一漏极耦接至该分压器的一第一电阻、一源极耦接至该第一电压源端点,以及一栅极耦接该第一与第二MOS晶体管的所述漏极于一第三端点;
一电容,耦接于该第一电压源端点以及该第三端点之间;以及
一反相器,耦接于该第三端点与该第一与第二比较器电路之间。
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