[发明专利]制备金属硅化物的方法

权利要求书

1.一种制备金属硅化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底上已形成图案化的器件区域，且所述半导体衬底的边缘淀积有多晶硅及氧化物；

在所述半导体衬底上涂上光阻，所述光阻覆盖所述器件区域，未覆盖所述淀积有多晶硅及氧化物的半导体衬底边缘；

用氢氟酸与硝酸的混合溶液对所述半导体衬底边缘进行旋转喷射，对所述半导体衬底边缘进行湿法刻蚀，去除所述多晶硅及氧化物；

去除所述光阻；

在所述半导体衬底上淀积金属膜，所述金属膜覆盖所述器件区域中的器件的栅极结构以及源/漏极；

将所述淀积金属膜的半导体衬底进行快速升温退火处理，使所述金属膜与硅反应，形成金属硅化物；

用硫酸与双氧水混合溶液喷射去除所述未反应成金属硅化物的金属膜。

2.如权利要求1所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的条件为：

氢氟酸与硝酸的比例，1∶20～1∶100；

刻蚀时间，20～40秒；

温度，室温。

3.如权利要求2所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的条件为：

氢氟酸与硝酸的比例，1∶50；

刻蚀时间，30秒；

温度，室温。

4.如权利要求3所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀去除所述氧化物的刻蚀速率为2000埃/分钟。

5.如权利要求3所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀去除所述多晶硅的刻蚀速率为1微米/分钟。

6.如权利要求1所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述旋转喷射是通过单晶片旋喷清洗机实现的。

7.如权利要求1所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述光阻的形状与未曝光的硅化物阻挡光阻的形状相同。

8.如权利要求1所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述去除光阻的步骤是将所述湿法刻蚀后的半导体衬底置于装有硫酸与双氧水混合溶液的酸槽中，在第一条件下进行湿法清洗实现的。

9.如权利要求8所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述第一条件为：

硫酸与双氧水的比例，2∶1～5∶1；

清洗时间，20～40秒；

温度，120℃～130℃。

10.如权利要求9所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述第一条件为：

硫酸与双氧水的比例，2∶1；

清洗时间，30秒；

温度，120℃～130℃。

11.如权利要求1所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述去除光阻的步骤是利用单晶片旋喷清洗机对所述湿法刻蚀后的半导体衬底旋转喷射硫酸与双氧水混合溶液，在第二条件下进行湿法清洗实现的。

12.如权利要求11所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述第二条件为：

硫酸与双氧水的比例，4∶1～6∶1；

清洗时间，5～20分钟；

温度，120℃～130℃。

13.如权利要求12所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述第二条件为：

硫酸与双氧水的比例，5∶1；

清洗时间，10分钟；

温度，120℃～130℃。

14.如权利要求1所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述金属膜为NiPt膜或Co膜或Ni膜。

15.如权利要求14所述的制备金属硅化物的方法，其特征在于，所述金属硅化物为NiPt金属硅化物或Co金属硅化物或Ni金属硅化物。