[发明专利]一种用于检测光刻过程中照明条件的结构及其检测方法

权利要求书

1.一种用于检测光刻过程中照明条件的结构，位于晶圆的切割区域，其特征在于，包括一排多个测试用浅沟槽隔离结构，所述测试用浅沟槽隔离结构的深度相同、侧壁的倾角相等、上截面宽度依次增加。

2.如权利要求1所述的用于检测光刻过程中照明条件的结构，其特征在于，所述测试用浅沟槽隔离结构的个数为50～200个。

3.如权利要求1所述的用于检测光刻过程中照明条件的结构，其特征在于，所述测试用浅沟槽隔离结构上截面最小的宽度为其深度的0.05～0.5倍，上截面最大的宽度为其深度的2～3倍。

4.如权利要求1所述的用于检测光刻过程中照明条件的结构，其特征在于，所述测试用浅沟槽隔离结构的深度为

5.如权利要求1所述的用于检测光刻过程中照明条件的结构，其特征在于，所述测试用浅沟槽隔离结构的侧壁的倾角为80°～87°。

6.一种光刻过程中照明条件的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

利用具有权利要求1中所述结构的测试用浅沟槽隔离结构获得光刻过程中照明条件正常情况下发生过刻蚀现象的标准区域；

在待测试晶圆的切割区域形成具有权利要求1中所述结构的测试用浅沟槽隔离结构；

继续完成后续工艺制造；

获得所述待测试晶圆上的测试用浅沟槽隔离结构发生过刻蚀现象的实际区域；

比较所述实际区域和所述标准区域，如果所述实际区域相对所述标准区域发生偏移，则判定光刻过程中照明条件异常。

7.如权利要求6所述的光刻过程中照明条件的检测方法，其特征在于，在待测试晶圆的切割区域形成所述测试用浅沟槽隔离结构与所述待测试晶圆的其他区域的浅沟槽隔离结构是同时形成的。

8.如权利要求6所述的光刻过程中照明条件的检测方法，其特征在于，所述测试用浅沟槽隔离结构的个数为50～200个。

9.如权利要求6所述的光刻过程中照明条件的检测方法，其特征在于，所述测试用浅沟槽隔离结构上截面最小的宽度为其深度的0.05～0.5倍，上截面最大的宽度为其深度的2～3倍。

10.如权利要求6所述的光刻过程中照明条件的检测方法，其特征在于，所述测试用浅沟槽隔离结构的深度为

11.如权利要求6所述的光刻过程中照明条件的检测方法，其特征在于，所述测试用浅沟槽隔离结构的侧壁的倾角为80°～87°。