[发明专利]半导体装置的制造方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下工序：

将多片衬底送入处理室内的工序；

氧化处理所述多片衬底的工序，即，从所述处理室内的所述多片衬底排列的衬底排列区域的一端侧通过混合部供给含氧气体和含氢气体且使其朝另一端侧流动，同时从与所述处理室内的所述衬底排列区域相对应的途中的多处供给含氢气体且使其朝所述另一端侧流动，由此将所述多片衬底进行氧化处理；

将所述氧化处理后的所述多片衬底从所述处理室内运出的工序；

其中，在所述氧化处理工序中，将所述混合部内及所述处理室内的温度设定为500℃以上700℃以下，同时将所述混合部内的压力设定为小于大气压的第1压力，将所述处理室内的压力设定为小于所述第1压力的第2压力，在所述混合部内使含氧气体和含氢气体反应，生成含有原子氧的氧化种，且在从所述混合部内向所述处理室内喷射所述氧化种的喷出口位置处使所述氧化种的浓度最大。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在，在所述氧化处理工序中，设定所述混合部内的压力和所述混合部内的各气体的滞留时间，使所述氧化种的浓度在所述喷出口的位置最大。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述氧化处理工序中，设定所述处理室内的压力，由此在含氧气体和含氢气体刚刚从所述混合部的所述喷出口喷出时，不会产生由喷出所述喷出口的各气体之间的反应而生成的所述氧化种。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述氧化处理工序中，从与所述处理室内的所述衬底排列区域相对应的途中的多处供给含氧气体。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述氧化处理工序中，从与所述处理室内的所述衬底排列区域相对应的途中的多处，通过气体喷出孔供给含氧气体，所述气体喷出孔以至少与所述多片衬底的每一片相对应的方式进行设置，其数量至少与所述多片衬底的片数相同。

6.一种衬底处理装置，其特征在于，所述衬底处理装置包括：

氧化处理多片衬底的处理室；

在所述处理室内保持所述多片衬底的保持器；

从所述处理室内的所述多片衬底排列的衬底排列区域的一端侧将含氧气体和含氢气体混合进行供给的混合部；

从与所述处理室内的所述衬底排列区域相对应的途中的多处供给含氢气体的喷嘴；

对所述处理室内进行排气的排气口，使供给到所述处理室内的各气体向所述衬底排列区域的另一端侧流动；

将所述混合部内及所述处理室内的温度设定为500℃以上700℃以下的温度控制部；和

将所述混合部内的压力设定为低于大气压的第1压力、同时将所述处理室内的压力设定为低于所述第1压力的第2压力的压力控制部；

其中，所述混合部形成如下结构：使含氧气体和含氢气体在所述混合部内反应，生成含有原子氧的氧化种，且在从所述混合部内向所述处理室内喷射所述氧化种的喷出口位置处使所述氧化种的浓度最大。

7.如权利要求6所述的衬底处理装置，还包括喷嘴，所述喷嘴从与所述处理室内的所述衬底排列区域相对应的途中的多处供给含氧气体。

8.如权利要求7所述的衬底处理装置，其中，所述喷嘴形成通过气体喷出孔供给含氧气体的结构，所述气体喷出孔以至少与所述多片衬底的每一片相对应的方式进行设置，其数量至少与所述多片衬底的片数相同。