[发明专利]半导体器件以及形成集成无源器件的方法有效
申请号: | 201010286650.9 | 申请日: | 2010-09-10 |
公开(公告)号: | CN102024684A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 林耀剑 | 申请(专利权)人: | 新科金朋有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/768;H01L23/528 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霁晨;高为 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 以及 形成 集成 无源 器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法,其包括:
提供具有电阻率的半导体小片;
在所述半导体小片上形成第一电容器,所述第一电容器电连接到所述半导体小片;
将密封剂沉积在所述第一电容器上以及所述半导体小片周围,所述密封剂具有比所述半导体小片的电阻率高的电阻率;以及
通过以下步骤在所述密封剂的第一表面上形成第一互连结构:
(a)形成电连接到所述第一电容器的第一导电层,
(b)在所述第一导电层上形成第一绝缘层,以及
(c)在所述第一绝缘层上形成第二导电层,所述第二导电层具有远离所述半导体小片的占用面积预先确定的距离在所述密封剂上被形成并且被缠绕以用作电感器的部分,所述第二导电层的所述部分通过所述第一导电层电连接到所述第一电容器。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述第一导电层的被缠绕以用作电感器的部分远离所述半导体小片的所述占用面积至少50微米。
3.如权利要求1所述的方法,其中形成所述第一电容器包括:
形成第三导电层;
在所述第三导电层上形成第二绝缘层;以及
在所述第二绝缘层上形成第四导电层。
4.如权利要求1所述的方法,其还包括在所述第一互连结构中形成第二电容器。
5.如权利要求1所述的方法,其还包括在相对所述第一互连结构的所述密封剂的第二表面上形成第二互连结构。
6.如权利要求5所述的方法,其还包括在所述密封剂内在所述第一和第二互连结构之间形成导电柱。
7.如权利要求1所述的方法,其还包括围绕所述导电柱形成绝缘层。
8.一种制造半导体器件的方法,其包括:
提供半导体小片;
在所述半导体小片上形成第一电容器;
将密封剂沉积在所述第一电容器上以及所述半导体小片周围;
在所述密封剂的第一表面上形成第一导电层;
在所述第一导电层上形成第一绝缘层;以及
在所述第一绝缘层上形成第二导电层,所述第二导电层具有远离所述半导体小片的占用面积预先确定的距离被形成并且被缠绕以用作电感器的部分,所述第二导电层的所述部分电连接到所述第一导电层。
9.如权利要求8所述的方法,其中所述第一导电层的被缠绕以用作电感器的部分远离所述半导体小片的所述占用面积至少50微米。
10.如权利要求8所述的方法,其中形成所述第一电感器包括:
形成第三导电层;
在所述第三导电层上形成第二绝缘层;以及
在所述第二绝缘层上形成第四导电层。
11.如权利要求8所述的方法,其还包括用所述第一导电层、第一绝缘层以及第二导电层来形成第二电容器。
12.如权利要求8所述的方法,其还包括:
在相对所述第一导电层的所述密封剂的第二表面上形成互连结构;以及
在所述密封剂内形成导电柱。
13.如权利要求8所述的方法,其中所述密封剂具有比所述半导体小片的电阻率高的电阻率。
14.一种制造半导体器件的方法,其包括:
提供半导体小片;
在所述半导体小片上形成电容器;
将密封剂沉积在所述电容器上以及所述半导体小片的周围;并且
在所述密封剂的第一表面上形成第一互连结构,所述第一互连结构包括远离所述半导体小片的占用面积预先确定的距离被形成的电感器。
15.如权利要求14所述的方法,其中形成所述第一互连结构包括:
在所述密封剂的第一表面上形成第一导电层;
在所述第一导电层上形成第一绝缘层;以及
在所述第一绝缘层上形成第二导电层,所述第二导电层具有远离所述半导体小片的所述占用面积预先确定的距离被形成并且被缠绕以用作所述电感器的部分。
16.如权利要求15所述的方法,其中所述第二导电层的所述部分通过所述第一导电层电连接到所述电容器。
17.如权利要求15所述的方法,其中所述第一导电层的被缠绕以用作电感器的部分远离所述半导体小片至少50微米。
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