[发明专利]采用TiO2陶瓷靶磁控溅射的膜系玻璃结构及方法

权利要求书

1.一种采用TiO₂陶瓷靶磁控溅射的膜系玻璃结构，其特征在于，该玻璃的膜层结构自玻璃板向外依次为：

玻璃/TiO₂基层/底层电介质层/底银层/底层阻挡保护层/中间复合电介质层/顶层银/顶层阻挡保护层/上层电介质层。

2.按权利要求1所述的玻璃结构，其特征在于各膜层的厚度为：

TiO₂基层：膜层厚度为15～25nm；

底层电介质层：膜层厚度为15～20nm；

底层银：膜层厚度为7～9nm；

底层阻挡保护层：膜层厚度为1～3nm；

中间复合电介质层Sn：膜层厚度为29～33nm；

中间复合电介质层ZnAl：膜层厚度为41～48nm；

顶层银：膜层厚度为14～17nm；

顶层阻挡保护层：膜层厚度为2～3nm；

上层电介质层：膜层厚度为50～70nm。

3.一种采用TiO₂陶瓷靶磁控溅射的膜系结构玻璃的生产方法，其特征在于步骤如下：

a)基板玻璃清洗、干燥；

b)预真空过渡；

c)镀陶瓷TiO₂基层；

c)镀底层电介质层；

d)镀底层银；

f)镀底层阻挡保护层；

g)镀中间复合电介质层；

f)镀顶层银；

i)镀顶层阻挡保护层；

j)镀上层电介质层。

4.按权利要求3所述的生产方法，其特征在于所述的镀陶瓷TiO₂基层是：将陶瓷TiO₂靶在纯氩或氩氧气氛中进行溅射，溅射气压范围2×10^-2mbr～3×10^-4mbr，脉冲电源频率为15kHz～25kHz；溅射氩氧混合气比例为氩∶氧＝90∶10～70∶30。

5.按权利要求3所述的生产方法，其特征在于所述的底层阻挡保护层和顶层阻挡保护层的材料为：镍或镍含量超过50％的镍合金，钛或含钛量高于80％的钛合金。

6.按权利要求3所述的生产方法，其特征在于所述的底层电介质层和中间复合电介质层为金属氧化物，金属氧化物的镀制方法为采用金属靶材料在氧气氛围或氧氩混合气氛围中进行溅射，溅射气压范围2×10^-2mbr～3×10^-4mbr，溅射氧氩混合气比例为氩∶氧＝20∶80～40∶60。

7.按权利要求3所述的生产方法，其特征在于所述的上层电介质层采用材料为氮化硅，镀制方法为采用硅靶氮氩混合气氛围中进行溅射，溅射气压范围2×10^-2mbr～3×10^-4mbr，溅射氮氩混合气比例为氩∶氮＝30∶70～40∶60。

8.按权利要求6所述的生产方法，其特征在于所述的底层电介质层是：ZnAl圆靶在过氧状态中溅射，Zn∶Al＝90∶10。

9.按权利要求6所述的生产方法，其特征在于所述的中间复合电介质层是：通过交流阴极的锡靶或锌铝靶，在氩氧氛围中溅射，脉冲电源频率为15kHz～25kHz。

10.按权利要求3所述的生产方法，其特征在于所述的上层电介质层：采用SiAl靶，在氮氩氛围中溅射硅铝合金，氩∶氮＝30∶70～40∶60。