[发明专利]NANDFLASH参数探测方法

说明书

技术领域

本发明涉及对存储介质的存储容量参数的探测方法，具体涉及一种NANDFLASH的参数探测方法。

背景技术

当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块是不可或缺的重要方面。flash存储器作为一种安全、快速的存储体，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点。目前已经逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中数据和程序的主要载体。

但市面上各种NANDFLASH的特性因厂商、工艺等的区别而大相径庭：就主流厂商而言，有Samsung、Hynix、Toshiba、Micron、ST、Intel等；就单元级别而言，有SLC(single level cell，单级单元)和MLC(multi level cell，多级单元)之分；就同一系列的NANDFLASH而言，有M代、A代、B代……之分，如三星的K9G4G08X0M、K9G4G08X0A和K9G4G08X0B；当然除去上述几点，还有其他各种差异点。

对采取NANDFLASH为存储器的嵌入式产品方案设计中，为了满足不同生产客户的实际要求，方案设计公司会提供方案支持的NANDFLASH支持列表，支持列表会详细列出所有支持的NANDFLASH参数。在具体的软件系统设计中，可以采取结构体数组的方式，存储所有支持NANDFLASH的参数。如下所示的结构体为对一款NANDFLASH基本参数的描述：

Typedef struct

Nand_phy_info{

   T_U32   ChipId；        //chip id

   T_U16   PageSize；      //page size

   T_U16   PagesPerBlock； //pages of one block

   T_U16   BlockNum；      //total block number

   T_U8    SpareSize；     //spare size

}T_NAND_PHY_INFO

其中ChipID为NANDFLASH的ID号，PageSize表示一个页的大小，PagesPerBlock为一个block包含的page数目，BlockNum为NANDFLASH一个片选的block数，SpareSize为一个页spare区域的大小。

NANDFLASH种类繁多，参数各异，获取NANDFLASH的参数需要详尽阅读每个NANDFLASH厂家每款NANDFLASH发布的芯片文档，工作量相当大，而若没有某款NANDFLASH的datasheet时将无法使用该NANDFLASH。

在实际的研发和生产过程中，由于生产厂家进货渠道的不同，可能采购到林林总总的NANDFLASH，有的可能没有相应的资料说明书(datasheet)，有的可能表面被打磨后标识模糊不清。对于这种没有具体资料的“无名”NANDFLASH的使用，由于无法预知或获取其使用NANDFLASH的基本参数，成为了很多方案设计和生产厂家在使用和生产中的一道难题。本技术则可以根据NANDFLASH的特性，在没有NANDFLASH具体资料的情况下，仅通过对NANDFLASH进行一些基本操作(擦除、写数据和读数据)，从而探测到其基本参数。

发明内容

本发明的目的在于提供一种NANDFLASH参数探测方法，本方法能够根据NANDFLASH样片及其使用环境来自动获取NANDFLASH基本参数，而无需该NANDFLASH的资料说明书(datasheet)。

本发明的目的可通过以下的技术措施来实现：一种NANDFLASH参数探测方法，其特征在于包括以下步骤：

(A)探测所述NANDFLASH中片选数量、所述每个片选中的块数量、所述每个块中页面数量和每个页面大小参数；

(B)根据步骤(A)得到的片选数量、块数量、页面数量和页面大小参数计算所述NANDFLASH的总容量参数。

所述步骤(A)中页面大小参数的探测过程为：

(a1)区分所述NANDFLASH的页面为大页或是小页，所述大页为2K Bytes或者4K Bytes的页面大小参数，所述小页为512 Bytes的页面大小参数；如果为小页，则探测过程结束，否则进入步骤(a2)；

(a2)区分所述大页的页面大小参数为2K Bytes或是4K Bytes。