[发明专利]等离子蚀刻装置用硅制零件及其再生方法有效
| 申请号： | 201010287341.3 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102034700A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 今福光祐 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子 蚀刻 装置 用硅制 零件 及其 再生 方法 | ||
1.一种等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法，该等离子蚀刻装置用硅制零件配置在用于收容基板并对该基板进行蚀刻处理的等离子蚀刻装置的处理室内部，其特征在于，
该方法包括：
回收等离子蚀刻装置用硅制零件和半导体晶圆用硅锭中任一个的硅制废料的工序；
根据所回收的上述硅制废料的电学特性求出杂质的含量的测量工序；
根据上述测量工序中求得的杂质的含量和最终产品的电学特性的目标值来决定上述硅制废料的投入量、硅原料的投入量和杂质的投入量的投入量决定工序；
将上述硅制废料、硅原料和杂质以在上述投入量决定工序中决定的投入量投入到坩锅中、制造硅锭的工序。
2.根据权利要求1所述的等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法，其特征在于，
该方法还包括将附着在上述硅制废料的表面上的反应生成物除去的反应生成物除去工序。
3.根据权利要求2所述的等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法，其特征在于，
上述反应生成物除去工序具有将喷砂材料与压缩气体一起喷射到上述硅制废料上而物理性地除去反应生成物的阶段。
4.根据权利要求2所述的等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法，其特征在于，
上述喷砂材料由CO2粒子，Al2O3粒子、SiO2粒子、尼龙珠中的至少任意1种构成。
5.根据权利要求2～4中任意一项所述的等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法，其特征在于，
上述反应生成物除去工序具有利用酸蚀刻处理或碱蚀刻处理来除去上述硅制废料的反应生成物的阶段。
6.一种等离子蚀刻装置用硅制零件，该等离子蚀刻装置用硅制零件配置在用于收容基板并对该基板进行蚀刻处理的等离子蚀刻装置的处理室内部，其特征在于，
该零件含有利用等离子蚀刻装置用硅制零件的再生方法再生得到的硅，该方法包括：
回收等离子蚀刻装置用硅制零件和半导体晶圆用硅锭中任一个的硅制废料的工序；
根据所回收的上述硅制废料的电学特性求出杂质的含量的测量工序；
根据上述测量工序中求得的杂质的含量和最终产品的电学特性的目标值来决定上述硅制废料的投入量、硅原料的投入量和杂质的投入量的投入量决定工序；
将上述硅制废料、硅原料和杂质以在上述投入量决定工序中决定的投入量投入到坩锅中、制造硅锭的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
