[发明专利]电子束和酸洗提纯多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201010288512.4 | 申请日： | 2010-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101935041A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 战丽姝;董伟;谭毅;李国斌 | 申请（专利权）人： | 大连隆田科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 陈红燕 |
| 地址： | 116025 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子束 酸洗 提纯 多晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子束和酸洗提纯多晶硅的方法，包括如下步骤：
(1)电子束熔炼硅料去除硅中挥发性杂质磷；
(2)除磷后的液态硅快速凝固形成硅锭，所述硅锭中形成细小的晶粒，同时金属杂质在所述晶粒的晶界处富集；
(3)将所述硅锭沿晶界破碎，得到硅粉；
(4)酸洗去除金属杂质，得到磷和金属杂质含量较低的硅锭，即磷含量低于0.00004％，金属杂质总含量低于0.0005％的硅粉。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述步骤(1)中，根据硅料质量及其中磷的含量，电子束熔炼的真空度为8.0×10-3Pa～1.2×10-2Pa，电子束束流采用500-700mA，使硅料全部熔化，并保持束流熔炼20-40分钟；
所述步骤(2)中，通过关闭电子束流，束流快速降低为0mA，硅熔液将快速凝固，形成很多细小的晶粒；
所述步骤(3)中，所述硅粉的粒度为50-150μm；
所述步骤(4)中，所述酸洗包括先后使用HCl酸和HF酸分别清洗4-7h，再用去离子水清洗至溶液呈中性。
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