[发明专利]阻气涂层和阻气膜无效
申请号: | 201010289856.7 | 申请日: | 2010-09-16 |
公开(公告)号: | CN102021532A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 高桥年哉;千贺武志;殿原浩二 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/42;B32B27/06;H01L21/318;H05B33/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柳春琦 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 涂层 阻气膜 | ||
1.一种基于氮化硅的阻气涂层,其具有:
1至1.4的N/Si组成比,和
10至30原子%的氢含量,其中:
在所述涂层的傅里叶变换红外吸收光谱中,由Si-H伸缩振动引起的吸收峰出现在2170至2200cm-1的范围内的波数处,并且由Si-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-H)与在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收峰强度I(Si-N)之间的比率[I(Si-H)/I(Si-N)]为0.03至0.15。
2.根据权利要求1所述的阻气涂层,其中在傅里叶变换红外吸收光谱中的3350cm-1附近由N-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(N-H)与所述峰强度I(Si-N)之间的比率[I(N-H)/I(Si-N)]为0.03至0.07。
3.根据权利要求1或2所述的阻气涂层,所述阻气涂层的密度为2.1至2.7g/cm3。
4.根据权利要求1或2所述的阻气涂层,其中在傅里叶变换红外吸收光谱中的3350cm-1附近由N-H伸缩振动引起的吸收峰强度I(N-H)与所述峰强度I(Si-H)之间的比率[I(N-H)/I(Si-H)]为0.5至1.5。
5.根据权利要求1或2所述的阻气涂层,其中在傅里叶变换红外吸收光谱中,在840cm-1附近由Si-N伸缩振动引起的吸收峰出现在820至860cm-1的范围内的波数处。
6.根据权利要求1或2所述的阻气涂层,其中平均Si-N键长为1.69至
7.根据权利要求1或2所述的阻气涂层,所述阻气涂层具有不大于15原子%的氧含量。
8.根据权利要求1或2所述的阻气涂层,所述阻气涂层具有10至150nm的厚度。
9.根据权利要求1或2所述的阻气涂层,所述阻气涂层作为单层具有不小于95%的可见光透射率。
10.一种阻气膜,其包括:
玻璃化转变温度为130℃以下的树脂膜;和
沉积在所述树脂膜上的根据权利要求1或2所述的阻气涂层。
11.一种阻气膜,其包括:
基底膜;和
沉积在所述基底膜上的根据权利要求1或2所述的阻气涂层,
其中所述阻气膜具有允许至多1×10-5[g/(m2·天)]的气体渗透的阻气性能和不小于85%的可见光透射率,并且
其中即使在将所述阻气膜在温度为60℃且相对湿度为90%的环境中留置1000小时以后,也维持所述阻气性能和所述可见光透射率,并且即使在将所述阻气膜卷绕成直径为10mm的卷材,然后展开1000次以后,同样也维持所述阻气性能和所述可见光透射率。
12.一种阻气膜,其包括:
基底膜;和
沉积在所述基底膜上的根据权利要求1或2所述的阻气涂层,
其中所述阻气膜具有允许至多3×10-3[g/(m2·天)]的气体渗透的阻气性能和不小于85%的可见光透射率,并且
其中即使在将所述阻气膜在温度为85℃且相对湿度为90%的环境中留置1000小时以后,也维持所述阻气性能和所述可见光透射率,并且即使在将所述阻气膜卷绕成直径为10mm的卷材,然后展开1000次以后,同样也维持所述阻气性能和所述可见光透射率。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的