[发明专利]能消除干扰的相变存储器单元结构及形成的相变存储器有效
| 申请号： | 201010289950.2 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101958148A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡道林;宋志棠;陈后鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 干扰 相变 存储器 单元 结构 形成 | ||
【权利要求书】：
1.一种能消除干扰的相变存储器单元结构，其特征在于包括：
相变材料形成的相变电阻；
并联在所述相变电阻两端的受控开关管；
与所述相变电阻一端连接的选通管；
其中，所述选通管和所述受控开关管在任意时刻工作在相反的状态，即一者处于导通状态时，另一者就处于截止状态。
2.如权利要求1所述的能消除干扰的相变存储器单元结构，其特征在于：当所述选通管和所述受控开关管为相同类型的晶体管时，两者各自接入的用于控制开闭的控制信号互为反信号。
3.如权利要求1或2所述的能消除干扰的相变存储器单元结构，其特征在于：所述选通管和所述受控开关管都为NMOS管。
4.如权利要求1或2所述的能消除干扰的相变存储器单元结构，其特征在于：所述选通管为二极管。
5.一种能消除干扰的相变存储器，其特征在于包括；
多条位线和字线；
多条控制信号线；
多个由权利要求1至4任一所述的能消除干扰的相变存储器单元结构所构成的阵列，其中，各相变存储器单元结构中的相变电阻的另一端分别连接一位线，各相变存储器单元结构中的选通管分别连接一字线以便由字线信号控制开闭，各相变存储器单元结构中的受控开关管分别连接一控制线以便由控制线信号控制开闭。
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