[发明专利]发光器件、发光器件封装和照明系统有效
申请号: | 201010290741.X | 申请日: | 2010-09-20 |
公开(公告)号: | CN102044623A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 曹京佑;黄贞夏;尹亨善 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/44;H01L33/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;吴鹏章 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 照明 系统 | ||
1.一种发光器件,包括:
衬底;
在所述衬底上的发光结构,所述发光结构包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层以及在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层;
在所述发光结构上的第一电极;和
在所述发光结构上的图案化的磷光体层,其中所述图案化的磷光体层将所述发光结构产生的光转化为波长比所述发光结构产生的光的波长更长的光,并且其中所述磷光体层的图案暴露出所述第一电极。
2.根据权利要求1的发光器件,其中所述磷光体层的图案在所述磷光体层中提供多个开口,通过所述开口暴露出所述第一电极。
3.根据权利要求2的发光器件,其中所述第一电极的厚度小于所述图案化的磷光体层的厚度。
4.根据权利要求2的发光器件,其中所述图案化的磷光体层的面积为所述发光器件的发光面积的约30%至90%。
5.根据权利要求1的发光器件,其中所述发光结构具有上表面,并且其中所述磷光体层的图案暴露出所述发光结构的所述上表面的一部分。
6.根据权利要求5的发光器件,其中所述磷光体层的图案提供开口,通过所述开口暴露出所述第一电极以及所述发光结构的所述一部分,并且其中所述开口具有预定形状。
7.根据权利要求6的发光器件,其中所述开口具有圆形形状。
8.根据权利要求5的发光器件,其中所述图案化的磷光体层覆盖所述第一电极的一部分。
9.根据权利要求5的发光器件,其中所述磷光体层的图案暴露出所述发光结构的所述上表面的外周部分并覆盖所述发光结构的中心部分。
10.根据权利要求1的发光器件,还包括光透射层,其中所述图案化的磷光体层包括:
在所述光透射层上的第一部分,和
在所述发光结构的外周部分上的第二部分。
11.根据权利要求10的发光器件,其中所述图案化的磷光体层的所述第一部分具有第一宽度,所述图案化的磷光体层的所述第二部分具有第二宽度,并且其中所述第二宽度最多是所述第一宽度的一半。
12.根据权利要求1的发光器件,其中所述磷光体层的图案暴露出所述发光结构的外周部分。
13.根据权利要求1的发光器件,还包括:
在所述发光结构上的并且覆盖所述电极的光透射层;和
其中所述磷光体层在所述光透射层上,其中所述光透射层部分地位于所述电极和所述磷光体层之间。
14.一种发光器件封装,包括:
封装体;
在所述封装体上的至少一个电极层;和
与所述至少一个电极层电连接的发光器件,其中所述发光器件包括:
衬底;
在所述衬底上的发光结构,所述发光结构包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层以及在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层;
在所述发光结构上的第一电极;和
在所述发光结构上的图案化的磷光体层,其中所述图案化的磷光
体层将所述发光结构产生的光转化为波长比所述发光结构产生的光的波长更长的光,并且其中所述磷光体层的图案暴露出所述第一电极。
15.一种照明系统,包括发光模块,其中所述发光模块包括:
第一衬底;和
在所述衬底上的发光器件封装,其中所述发光器件封装包括:
封装体;
在所述封装体上的至少一个电极层;和
与所述至少一个电极层电连接的发光器件,其中所述发光器件包括:
第二衬底;
在所述第二衬底上的发光结构,所述发光结构包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层以及在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层;
在所述发光结构上的第一电极;和
在所述发光结构上的图案化的磷光体层,其中所述图案化的磷光体层将所述发光结构产生的光转化为波长比所述发光结构产生的光的波长更长的光,并且其中所述磷光体层的图案暴露出所述第一电极。
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