[发明专利]一种用于测量交直流电流的器件和包括该器件的断路器有效
申请号: | 201010291098.2 | 申请日: | 2010-09-19 |
公开(公告)号: | CN102411079A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 杜峰;陈维刚;张先刚;卓越 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;H01H71/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李慧 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 测量 直流 电流 器件 包括 断路器 | ||
1.一种用于测量交直流电流的器件,其特征在于,包括:沿围绕载流线的多边形闭合路径布置的复数个磁场传感器,其中所述复数个磁场传感器的磁灵敏度不全部相等,或所述复数个磁场传感器被非均匀布置,或所述复数个磁场传感器的磁场敏感方向不全部相同。
2.如权利要求1所述的器件,其中布置在所述多边形闭合路径的至少两个相对侧边上的端部与中部之间的磁场传感器中至少一个的磁灵敏度和/或磁场敏感方向,不同于布置在多边形闭合路径上的其它磁场传感器的磁灵敏度和/或磁场敏感方向;和/或布置在多边形闭合路径的至少两个相对侧边上的至少两个相邻磁场传感器之间的间隔,不同于布置在多边形闭合路径上的其它相邻磁场传感器之间沿多边形闭合路径的间隔。
3.如权利要求2所述的器件,其中布置在所述多边形闭合路径的至少两个相对侧边上的端部与中部之间的磁场传感器中至少一个的磁灵敏度,大于布置在多边形闭合路径上的其它磁场传感器的磁灵敏度;和/或布置在多边形闭合路径至少两个相对侧边上的端部与中部之间的磁场传感器中至少一个的磁场敏感方向与相应侧边之间的角度,大于布置在多边形闭合路径上的其它磁场传感器的磁场敏感方向与相应侧边之间的角度;和/或布置在多边形闭合路径至少两个相对侧边上的至少两个相邻磁场传感器之间的间隔,大于布置在多边形闭合路径上的其它相邻磁场传感器之间沿多边形闭合路径的间隔。
4.如权利要求1所述的器件,所述多边形闭合路径为具有至少一个对称轴的多边形闭合路径。
5.如权利要求4所述的器件,其中复数个磁场传感器以所述至少一个对称轴对称的方式布置在多边形闭合路径上。
6.如权利要求4所述的器件,其中所述多边形闭合路径为矩形或方形。
7.如权利要求6所述的器件,其中所述复数个磁场传感器的数目为至少4个。
8.如权利要求7所述的器件,其中所述复数个磁场传感器的数目为10个,所述矩形或方形的两个相对侧边分别布置有三个磁场传感器,每一侧边的中部布置有一个磁场传感器,每一侧边的中部和两个端部之间分别布置有一个磁场传感器;所述矩形或方形的另外两个相对侧边中每一侧边分别布置有两个磁场传感器。
9.如权利要求8所述的器件,其中布置在所述中部和端部之间的磁场传感器的磁灵敏度高于所述中部的磁场传感器。
10.如权利要求9所述的器件,其中布置在所述中部和端部之间的磁场传感器采用磁灵敏度比所述中部的磁场传感器高的材料制成。
11.如权利要求9所述的器件,其中布置在所述中部和端部之间的磁场传感器的控制功率高于所述中部的磁场传感器。
12.如权利要求9所述的器件,其中位于所述中部的磁场传感器偏离所述中部的位置以扩展所述器件的电流测量范围。
13.如权利要求1所述的器件,进一步包括调节单元,用于调节所述复数个磁场传感器的磁灵敏度和/或所述复数个磁场传感器的布置间隔和/或所述复数个磁场传感器的磁场敏感方向,使所述器件近似遵守安培环路定理。
14.如权利要求1所述的器件,进一步包括加法单元,用于将所述复数个磁场传感器的输出相加以得到流经所述载流线的电流的大小。
15.如权利要求1所述的器件,其中所述复数个磁场传感器布置在所述多边形闭合路径的各个侧边上。
16.如权利要求1所述的器件,其中所述复数个磁场传感器布置在围绕所述载流线布置的支撑板上。
17.如权利要求16所述的器件,其中所述支撑板为印刷电路板。
18.如权利要求17所述的器件,其中所述印刷电路板包括加法单元、调节单元、温度补偿单元、缓冲/滤波单元、直流偏移补偿单元和电源单元中的一个或多个。
19.如权利要求1所述的器件,其中所述磁场传感器为霍尔传感器、磁阻传感器或磁致伸缩传感器。
20.一种断路器,其特征在于,包括权利要求1至19中任一项所述的用于测量交直流电流的器件。
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