[发明专利]反射式萨格奈克干涉型全光纤磁场传感器无效
申请号: | 201010291238.6 | 申请日: | 2010-09-21 |
公开(公告)号: | CN102023287A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 肖悦娱 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | G01R33/032 | 分类号: | G01R33/032;G02B6/27 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 式萨格奈克 干涉 光纤 磁场 传感器 | ||
1.一种反射式萨格奈克干涉型全光纤磁场传感器,包括:宽带光源(1)、光隔离器(2)、3dB单模光纤耦合器(3)、光纤起偏器(4)、保偏传输光缆(5)、四分之一波片(6)、法拉第旋转镜(7)、光电探测器(8)和信号处理单元(9);其特征在于所述宽带光源(1)通过光隔离器(2)后接入3dB单模光纤耦合器(3),3dB单模光纤耦合器(3)的一个输出端与光纤起偏器(4)一端相连,光纤起偏器(4)的另一端与保偏传输光缆(5)成45°焊接,两正交偏振光通过保偏传输光缆(5)进入磁场传感头,所述磁场传感头包括四分之一波片(6)和法拉第旋转镜(7),保偏传输光缆(5)通过四分之一波片(6)后连接法拉第旋转镜(7),3dB单模光纤耦合器(3)的另一端口经过光电探测器(8)连接到信号处理单元(9)。
2.根据权利要求1所述的反射式萨格奈克干涉型磁场传感器,其特征在于所述光纤起偏器(4)的另一端与保偏传输光缆(5)的连接是:光纤。起偏器(4)的保偏尾纤和保偏传输光缆(5)的主轴之间成45°焊接。
3.一种反射式萨格奈克干涉型磁场传感器,包括宽带光源(1)、光隔离器(2)、3dB单模光纤耦合器(3)、偏振分(合)波器(10)、保偏传输光缆(5)、四分之一波片(6)、法拉第旋转镜(7)、第一、第二两个光电探测器(12、11)和信号处理单元(9),其特征在于所述宽带光源(1)通过光隔离器(2)后与3dB单模光纤耦合器(3)相连,3dB单模光纤耦合器(3)的一个正向端口与所述偏振分(合)波器(10)相连后,偏振分(合)波器(10)通过保偏传输光缆(5)与磁场传感头连接;所述磁场传感头是所述四分之一波片(6)连接法拉第旋转镜(7),则所述保偏传输光缆(5)与四分之一波片(6)连接;所述3dB单模光纤耦合器(3)的另一端口连接到第一光电探测器(12),偏振分(合)波器(10)的另一端口连接到所述第二光电探测器(11),第一第二两个探测器(12、11)的信号同时送入信号处理单元(9)进行处理。
4.根据权利要求3所述的反射式萨格奈克干涉型磁场传感器,其特征在于偏振分(合)波器(10)与保偏传输光缆(5)的连接是:偏振分(合)波器(10)的保偏尾纤和保偏传输光缆(5)的主轴之间成45°焊接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010291238.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:涂敷装置及其涂敷位置修正方法
- 下一篇:铁塔通用防盗螺母