[发明专利]固体摄像器件、其制造方法及包括它的摄像装置

权利要求书

1.一种固体摄像器件，其包括：

半导体基板；以及

形成在所述半导体基板上的多个像素电路，

形成在所述半导体基板上的所述多个像素电路中的每一个包括：

光电转换元件；

第一隐埋栅极电极，其靠近于所述光电转换元件形成；

第二隐埋栅极电极，其远离所述光电转换元件和所述第一隐埋栅极电极中的每一个形成；

第一扩散层，其形成在所述第一隐埋栅极电极和所述第二隐埋栅极电极之间；以及

第二扩散层，其远离所述第一扩散层形成在所述第一隐埋栅极电极和所述第二隐埋栅极电极之间，与所述第一扩散层重叠，

其中，累积在所述光电转换元件中的电荷通过所述第一扩散层传输到所述第二扩散层。

2.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，

所述第一扩散层形成为埋入在所述半导体基板中，

所述第二扩散层形成在所述半导体基板的一个表面上。

3.如权利要求2所述的固体摄像器件，其中，

所述光电转换元件并排形成在所述半导体基板的所述一个表面侧，

每个所述光电转换元件具有第一导电类型的第一杂质区域和与所述第一导电类型的所述第一杂质区域接触的第二导电类型的第二杂质区域，

所述第一杂质区域比所述第二杂质区域形成为更靠近所述一个表面侧，

所述第一扩散层和所述第二扩散层中的每一个都形成为具有所述第二导电类型，并且

所述固体摄像器件还包括：

所述第一导电类型的第一杂质区域，其形成在所述第一隐埋栅极电极的周边并且与所述光电转换元件的所述第二导电类型的所述第二杂质区域、所述第二导电类型的所述第一扩散层和所述第二导电类型的所述第二扩散层中的每一个接触；

第一沟道形成区域，其在所述第一导电类型的所述第一杂质区域的一部分中形成为所述第一导电类型的区域，其杂质浓度低于所述第一导电类型的所述第一杂质区域的杂质浓度，与所述光电转换元件的所述第二导电类型的所述第二杂质区域和所述第二导电类型的所述第一扩散层中的每一个接触；

所述第一导电类型的第二杂质区域，其形成在所述第二隐埋栅极电极的周边，与所述第二导电类型的所述第一扩散层和所述第二导电类型的所述第二扩散层接触；以及

第二沟道形成区域，其在所述第二导电类型的所述第二杂质区域的一部分中形成为所述第一导电类型的区域，其杂质浓度低于所述第二导电类型的所述第二杂质区域的杂质浓度，与所述第二导电类型的所述第一扩散层和所述第二导电类型的所述第二扩散层中的每一个接触。

4.如权利要求3所述的固体摄像器件，其中，所述第一沟道形成区域、所述第一扩散层、所述第二沟道形成区域和所述第二扩散层的杂质浓度被调节为，在所述第一隐埋栅极电极和所述第二隐埋栅极电极都导通时，所述第一沟道形成区域的电位、所述第一扩散层的电位、所述第二沟道形成区域的电位、所述第二扩散层的电位依次增高，且都高于所述光电转换元件的电位。

5.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述第二扩散层形成为分别与在所述半导体基板中彼此相邻形成的所述多个像素电路对应。

6.一种摄像装置，其包括：

固体摄像器件；以及

用于将物体的图像在所述固体摄像器件上成像的光学系统，

所述固体摄像器件包括：

半导体基板；以及

形成在所述半导体基板上的多个像素电路，

形成在所述半导体基板上的所述多个像素电路中的每一个包括：

光电转换元件；

第一隐埋栅极电极，其靠近于所述光电转换元件形成；

第二隐埋栅极电极，其远离所述光电转换元件和所述第一隐埋栅极电极中的每一个形成；

第一扩散层，其形成在所述第一隐埋栅极电极和所述第二隐埋栅极电极之间；以及

第二扩散层，其远离所述第一扩散层形成在所述第一隐埋栅极电极和所述第二隐埋栅极电极之间，与所述第一扩散层重叠，

其中，累积在所述光电转换元件中的电荷通过所述第一扩散层传输到所述第二扩散层。

7.一种制造固体摄像器件的方法，该方法包括以下步骤：

在形成有多个像素电路的固体摄像器件中的半导体基板的一个表面侧，形成用于所述多个像素电路中每一个的第一隐埋栅极电极的孔和用于所述多个像素电路中每一个的第二隐埋栅极电极的孔；

分别在用于所述第一隐埋栅极电极的所述孔的周边和用于所述第二隐埋栅极电极的所述孔的周边形成第一杂质区域和第二杂质区域；

分别在用于所述第一隐埋栅极电极的所述孔和用于所述第二隐埋栅极电极的所述孔中形成所述第一隐埋栅极电极和所述第二隐埋栅极电极；

在所述第一杂质区域的一部分中形成杂质浓度低于所述第一杂质区域的杂质浓度的第一沟道形成区域；

在所述第二杂质区域的一部分中形成杂质浓度低于所述第二杂质区域的杂质浓度的第二沟道形成区域；

在所述半导体基板上的与所述第一杂质区域和所述第一沟道形成区域中每一个接触的位置中形成光电转换元件；以及

在所述半导体基板的一个表面侧在所述第一杂质区域和所述第二杂质区域之间形成第二扩散层以与所述第二沟道形成区域接触，在所述半导体基板内远离所述第二扩散层形成第一扩散层，使得与所述第二扩散层重叠并且与所述第一沟道形成区域和所述第二沟道形成区域中的每一个接触。