[发明专利]薄膜形成方法

权利要求书

1.一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：

提供晶片和薄膜形成设备，所述薄膜形成设备用于在所述晶片上形成具有目标厚度的薄膜；

将所述薄膜分为至少4个子薄膜，且所述子薄膜的数目为偶数；

利用所述薄膜形成设备在所述晶片上形成第一子薄膜；

利用所述薄膜形成设备在所述第一子薄膜上形成第二子薄膜，所述第二子薄膜的形貌与第一子薄膜的形貌相匹配；

利用所述薄膜形成设备在所述第二子薄膜上形成第三子薄膜；

利用所述薄膜形成设备在所述第三子薄膜上形成第四子薄膜，所述第三子薄膜和第四子薄膜的形貌相匹配；

依次类推，直至形成目标厚度的薄膜。

2.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述第一子薄膜与第二子薄膜的平均厚度相同。

3.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述第三子薄膜与第四子薄膜的平均厚度相同。

4.如权利要求2所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述薄膜形成设备为化学气相沉积设备、外延生长设备、氧化设备或者快速热氧化设备；且所述薄膜形成设备具有多个加热模块，所述加热模块与晶片表面各个区域对应。

5.如权利要求4所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述第一子薄膜的形貌为凹形，所述第二子薄膜的形貌为凸形，所述第一子薄膜的中心厚度和边缘厚度之差的绝对值与第二子薄膜的中心厚度和边缘厚度之差的绝对值相等，所述绝对值小于等于中心厚度的30％。

6.如权利要求5所述的薄膜形成方法，其特征在于，第一子薄膜的形成方法包括：

调节所述薄膜形成设备多个加热模块的输出功率以控制晶片表面温度分布，使所述温度分布为自晶片中心至晶片边缘的温度逐渐减小；

利用所述温度分布在晶片上形成第一子薄膜。

7.如权利要求5所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述第二子薄膜的形成方法包括：

调节所述薄膜形成设备的多个加热模块的输出功率以控制晶片表面的温度分布，使所述温度分布为自晶片中心至晶片边缘的温度逐渐增大；

利用所述温度分布在所述第一子薄膜上形成第二子薄膜。

8.如权利要求4所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述第一子薄膜的形貌为凸形，所述第二子薄膜的形貌为凹形，所述第一子薄膜的中心厚度和边缘厚度之差的绝对值与第二子薄膜的中心厚度和边缘厚度之差的绝对值相等，所述绝对值小于等于中心厚度的30％。

9.如权利要求8所述的薄膜形成方法，其特征在于，第一子薄膜的形成方法包括：

调节所述薄膜形成设备多个加热模块的输出功率以控制晶片表面温度分布，使所述温度分布为自晶片中心至晶片边缘的温度逐渐增大；

利用所述温度分布在晶片上形成第一子薄膜。

10.如权利要求8所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述第二子薄膜的形成方法包括：

调节所述薄膜形成设备的多个加热模块的输出功率以控制晶片表面的温度分布，使所述温度分布为自晶片中心至晶片边缘的温度逐渐减小；

利用所述温度分布在所述第一子薄膜上形成第二子薄膜。

11.如权利要求3所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述第三子薄膜与所述第一子薄膜的厚度相同、形貌相同、形成方法相同，所述第四子薄膜与所述第二子薄膜的厚度相同、形貌相同、形成方法相同。

12.一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：

提供晶片和薄膜形成设备，所述薄膜形成设备用于在所述晶片上形成具有目标厚度的薄膜；

将所述薄膜分为第一子薄膜和第二子薄膜；

利用所述薄膜形成设备在所述晶片上形成第一子薄膜；

利用所述薄膜形成设备在所述第一子薄膜上形成第二子薄膜，所述第二子薄膜的形貌与第一子薄膜的形貌相匹配，所述第一子薄膜和第二子薄膜的厚度之和等于目标厚度。

13.如权利要求12所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述薄膜形成设备为化学气相沉积设备、外延生长设备、氧化设备、快速热氧化设备，所述薄膜形成设备具有多个加热模块，所述加热模块与晶片表面各个区域对应。