[发明专利]相变存储器底部电极的制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一绝缘层、以及位于第一绝缘层中的导电插塞；

在导电插塞上形成柱状体，所述柱状体包括金属柱状体以及位于金属柱状体上的绝缘柱状体；

在柱状体未覆盖的第一绝缘层上形成第二绝缘层；所述第二绝缘层的厚度大于或等于所述柱状体的厚度；

去除绝缘柱状体，形成第二绝缘层和金属柱状体围成的开口；

在所述开口中形成绝缘侧墙；

以所述绝缘侧墙为掩膜蚀刻所述金属柱状体，形成凹形金属件；

向所述凹形金属件中填充绝缘材料，形成第三绝缘层；

通过平坦化技术去除绝缘侧墙。

2.如权利要求1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述在导电插塞上形成柱状体，所述柱状体包括金属柱状体以及位于金属柱状体上的绝缘柱状体的步骤包括：依次在第一绝缘层上形成金属层和第四绝缘层；光刻和蚀刻所述金属层和第四绝缘层，形成金属柱状体以及位于金属柱状体上的绝缘柱状体。

3.如权利要求1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述金属柱状体至少覆盖导电插塞。

4.如权利要求2所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述金属层包括钨或铝。

5.如权利要求2所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述第四绝缘层包括氮化硅、氮氧化硅、掺碳的氮化硅。

6.如权利要求1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述去除绝缘柱状体的步骤包括：通过湿法腐蚀法去除绝缘柱状体。

7.如权利要2所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述在所述开口中形成绝缘侧墙的步骤包括：向第二绝缘层和开口内沉积绝缘材料；去除第二绝缘层上和开口底部的绝缘材料，在所述开口中形成绝缘侧墙。

8.如权利要7所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述去除第二绝缘层上和开口底部的绝缘材料的步骤包括：通过干法蚀刻法去除第二绝缘层上和开口底部的绝缘材料。

9.如权利要1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，以所述绝缘侧墙为掩膜蚀刻所述金属柱状体，形成凹形金属件的步骤包括：蚀刻去除的金属柱状体的厚度小于金属柱状体的厚度减去绝缘侧墙的壁厚。

10.如权利要1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述通过平坦化技术去除绝缘侧墙的步骤包括：通过化学机械研磨去除绝缘侧墙。