[发明专利]制造石墨烯的方法和通过该方法制造的石墨烯有效

专利信息
申请号: 201010292705.7 申请日: 2010-09-20
公开(公告)号: CN102020271A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 宋荣日;安钟贤;李荣彬;洪秉熙 申请(专利权)人: 三星泰科威株式会社;成均馆大学产学协力团
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 郭鸿禧;罗延红
地址: 韩国庆尚*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 制造 石墨 方法 通过
【权利要求书】:

1.一种制造石墨烯的方法,所述方法包括:

制备石墨烯构件,所述石墨烯构件包括基体构件、形成在所述基体构件上的亲水性氧化物层、形成在氧化物层上的疏水性金属催化剂层和在金属催化剂层上生长出的石墨烯;

将水施加于所述石墨烯构件;

将金属催化剂层与氧化物层分离;

使用蚀刻工艺去除金属催化剂层。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基体构件包括Si。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,氧化物层包括SiO2

4.根据权利要求1所述的方法,其中,金属催化剂层包括从由Ni、Cu、Al、Fe、Co和W组成的组中选择的至少一种金属。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,制备石墨烯构件的步骤还包括将转移构件设置到所述石墨烯上。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述转移构件包括从由聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、玻璃、合成橡胶和天然橡胶组成的组中选择的材料。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,在将水施加于所述石墨烯构件的步骤中,通过水在氧化物层和金属催化剂层之间的渗透在氧化物层和金属催化剂层之间产生间隙。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,将水施加于所述石墨烯构件的步骤包括:通过施加超声波对所述石墨烯构件进行超声波处理。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,将水施加于所述石墨烯构件的步骤包括:将所述石墨烯构件浸在水浴里的水中。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,在将所述石墨烯构件浸在所述水浴里的水中的同时,执行将金属催化剂层与氧化物层分离的步骤。

11.根据权利要求1所述的方法,其中,将金属催化剂层与氧化物层分离的步骤包括:对所述石墨烯构件施加预定的力。

12.根据权利要求1所述的方法,其中,使用从由酸、氟化氢溶液、缓冲氧化物蚀刻溶液、FeCl3溶液和Fe(NO3)3溶液组成的组中选择的至少一种溶液来执行所述蚀刻工艺。

13.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:在使用所述蚀刻工艺将金属催化剂层去除之后,将所述石墨烯转移到基底或装置上。

14.石墨烯,所述石墨烯根据权利要求1所述的方法获得。

15.一种导电薄膜,所述导电薄膜包含根据权利要求1的方法获得的石墨烯。

16.一种透明电极,所述透明电极包含根据权利要求1的方法获得的石墨烯。

17.一种辐射或加热装置,所述辐射或加热装置包含根据权利要求1的方法获得的石墨烯。

18.一种制造石墨烯的方法,所述方法包括:

将水施加于石墨烯构件,所述石墨烯构件包括基体构件、形成在所述基体构件上的亲水性氧化物层、形成在氧化物层上的疏水性金属催化剂层和在金属催化剂层上生长出的石墨烯;

将金属催化剂层与氧化物层分离;

使用蚀刻工艺去除金属催化剂层。

19.石墨烯,所述石墨烯根据权利要求18所述的方法获得。

20.一种导电薄膜,所述导电薄膜包含根据权利要求18的方法获得的石墨烯。

21.一种透明电极,所述透明电极包含根据权利要求18的方法获得的石墨烯。

22.一种辐射或加热装置,所述辐射或加热装置包含根据权利要求18的方法获得的石墨烯。

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