[发明专利]一种Ag/Ag2S核/壳纳米结构电阻开关材料及其制备方法

权利要求书

1.一种Ag/Ag₂S核/壳纳米结构电阻开关材料，其特征在于，该纳米核/壳结构是以Ag为内核，Ag₂S为外壳，形貌为球形或近似球形，平均直径0.01～5.0微米，Ag₂S壳层厚度为2～100纳米。

2.权利要求1所述的Ag/Ag₂S核/壳纳米结构电阻开关材料的制备方法，包括以下步骤：

(1)于乙二醇溶剂中，加入聚乙烯吡咯烷酮，升温到60～196℃，搅拌溶解，然后加入硝酸银反应5～300分钟；其中，乙二醇体积与硝酸银质量比为10～1000∶1，单位为毫升/克；聚乙烯吡咯烷酮单体与硝酸银摩尔比为1～160∶1；

(2)在60～196℃温度下，将硫粉加入上述反应体系中，反应5～300分钟；其中，步骤(1)中的硝酸银与步骤(2)中硫粉的摩尔比为2～50∶1；

(3)将步骤(2)的反应沉淀物离心分离、乙醇或水洗涤后，继续以下操作之一：

i.40～80℃烘干，得到单分散Ag/Ag₂S核/壳纳米晶；

或者，

ii分散于醇溶剂或水中制得Ag/Ag₂S核/壳纳米分散的胶体。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的反应温度为150～190℃，反应时间5～30分钟，乙二醇体积与硝酸银质量比为50～200∶1，单位为毫升/克；聚乙烯吡咯烷酮单体与硝酸银摩尔比为10～50∶1。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的反应温度为150～190℃，反应时间5～30分钟；硝酸银与步骤(2)中硫粉的摩尔比为2～20∶1。

5.权利要求1所述的Ag/Ag₂S核/壳纳米结构材料的应用，以粉体或薄膜形式用作电阻开关材料，构筑Ag₂S电阻开关。

6.如权利要求5所述的应用，用于构筑Ag₂S电阻开关的方法为下列之一：

1)将Ag/Ag₂S核/壳纳米结构材料以分散的胶体形式，在铝片上旋涂或涂覆成膜，组装成Ag₂S电阻开关装置，测量其电阻开关性质；

2)用Ag/Ag₂S核/壳纳米结构材料以单分散纳米晶粉体形式压片成形，然后在压片的两端涂覆导电电极，组装成一个Ag₂S电阻开关装置，测量其电阻开关性质。