[发明专利]一种高温蘑菇的栽培方法无效
申请号: | 201010293281.6 | 申请日: | 2010-09-25 |
公开(公告)号: | CN101926265A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 陈爱山 | 申请(专利权)人: | 陈爱山 |
主分类号: | A01G1/04 | 分类号: | A01G1/04 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王加岭;张庆敏 |
地址: | 226600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高温 蘑菇 栽培 方法 | ||
1.一种高温蘑菇(Agaricus bitorquis)的栽培方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)将高温蘑菇菌种接种到麦粒培养基中,每500g培养基接种0.8-1.2g所述菌种,置24-27℃的无菌暗室中培养38-40天,得到原种;
2)将步骤1)得到的所述原种接种到麦粒培养基中,每500g培养基接种8-12g所述原种,置25-28℃的无菌暗室中培养38-40天,得到栽培菌种;
3)取步骤2)得到的所述栽培菌种,揉开,每平方米栽培面积播种600-800g所述栽培菌种,其中将按重量计60-70%菌种量均匀播入培养料中,其余30-40%菌种量均匀播在培养料表面,菇棚温度为26-31℃,空气相对湿度为83-87%;
4)播种23-25天后覆土,覆土深度4-5cm,覆土后密闭4-6天,棚内温度为26-28℃,湿度保持在90%以上;
5)当菌丝纽结成米粒大小时,喷结菇水,连喷2-3天,每天2-3次,每次0.5-0.6kg/m2;当菇蕾长到黄豆粒大小时,喷出菇水,时间1-2天,分2-3次喷洒,每次0.3-0.4kg/m2,保持棚内湿度在85-90%;在出菇期将菇棚内温度控制在26-34℃。
2.根据权利要求1所述的高温蘑菇的栽培方法,其特征在于,步骤3)中,按栽培面积1111m2计,所述培养料的组成为:干稻草20000-22000kg、石灰500-600kg、石膏400-500kg、菜籽饼900-1100kg、45%的NPK复合肥200-300kg、尿素150-250kg、碳铵150-250kg和过磷酸钙500-600kg。
3.根据权利要求2所述的高温蘑菇的栽培方法,其特征在于,所述培养料使用前按如下步骤处理:
a)将干稻草用含量为0.8-1.2%的石灰水浸泡2-3天;
b)前发酵:用浸泡好的全部稻草、全部的菜籽饼、氮肥量的73-77%、过磷酸钙量的48-52%和石灰量的23-27%进行建堆,用水浇透;第4天第1次翻堆,加入余下的氮肥、石膏量的48-52%、余下的过磷酸钙、石灰量的23-27%;第6天第2次翻堆,加入余下的石膏、石灰量的23-27%;第9天第3次翻堆,补水至含水量为65-70%,加入余下的石灰,发酵2天后得到发酵料;
其中,所述氮肥为45%的NPK复合肥、尿素和碳铵;
c)后发酵:早上6-8点钟迅速将前发酵的发酵料搬入菇棚;密闭菇棚,发酵料内产生自热,温度为25-27℃,自热20-22小时后,发酵料温度和菇棚空间温度达到50℃;次日中午12-14点钟,加温,使发酵料温度升至59~64℃,保持8-10小时;通风换气,将中层发酵料温度降到50℃,保持4-5天;通风换气,将菇棚内温度降到30℃以下,将集中堆放的发酵料平铺在每个层架上,使含水量为60-65%,得到培养料。
4.根据权利要求1~3任一项所述的高温蘑菇的栽培方法,其特征在于,步骤1)所述麦粒培养基按重量百分比计组成为:小麦95-98%、碳酸钙1.8-2.2%、石膏1.3-1.4%、硫酸镁0.05-0.07%和磷酸二氢钾0.08-0.1%。
5.根据权利要求4所述的高温蘑菇的栽培方法,其特征在于,所述麦粒培养基的制备方法如下:
将麦粒用1-3%浓度的石灰清水浸泡11-13小时,水面高出麦粒面18-22cm,浸泡后取出麦粒,以重量计将小麦95-98%、碳酸钙1.8-2.2%、石膏1.3-1.4%、硫酸镁0.05-0.07%和磷酸二氢钾0.08-0.1%混合均匀,装入玻璃瓶中,上盖棉籽壳0.8-1.5cm,加塞,常压下100℃蒸10-13小时灭菌,冷却至28-30℃;
其中,所述棉籽壳预先在常压下100℃蒸煮9-10小时。
6.根据权利要求1所述的高温蘑菇的栽培方法,其特征在于,步骤3)中每平方米栽培面积播种750g所述栽培菌种。
7.根据权利要求1所述的高温蘑菇的栽培方法,其特征在于,步骤4)中,每立方土预先加入4-5%砻糠和2-3%石灰,喷洒4-5%甲醛8kg,充分揉拌均匀至颗粒直径1.3-1.7cm后起堆,用薄膜覆盖闷闭消毒32-40小时,除去薄膜,散热1-2天。
8.根据权利要求1所述的高温蘑菇的栽培方法,其特征在于,步骤5)中在出菇期将菇棚内温度控制在27-32℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈爱山,未经陈爱山许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010293281.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:节水保湿展根种植盆
- 下一篇:一种更新用户签约数据库中的业务信息的方法及系统