[发明专利]压印光刻有效
| 申请号： | 201010293681.7 | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102033424A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | S·F·乌伊斯特尔 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B29C43/36;B29C59/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压印 光刻 | ||
1.一种使用具有无机释放层和可压印介质层的衬底形成压印模具的方法，所述方法包括：
使用主压印模具将图案压印到可压印介质中；
使可压印介质固化；和
蚀刻可压印介质和无机释放层以在无机释放层中形成图案。
2.如权利要求1所述的方法，其中，硬掩模位于无机释放层的顶部上，并且所述方法还包括蚀刻所述硬掩模。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述硬掩模由下列组中的一个形成：Cr、Mo、WSi、W、Al、Si或Ti。
4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，粘附层在可压印介质层的下面，并且所述方法还包括刻蚀所述粘附层。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述主压印模具由石英、熔融硅石、玻璃、YAG或CaF2形成。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述衬底由石英、熔融硅石、玻璃、YAG或CaF2形成。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，无机释放层由下列组中的一个形成：SiNx、AlNx、TiNx、TiOx、AlOx、TaOx或GaNx。
8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述蚀刻不贯穿无机层到衬底。
9.如前述权利要求中任一项所述的方法，还包括使用刻蚀以去除硬掩模。
10.一种压印模具，包括衬底和无机释放层，图案存在于无机释放层中，所述图案已经使用蚀刻形成在无机释放层内。
11.如权利要求10所述的压印模具，其中，衬底是没有图案化的。
12.如权利要求10或11所述的压印模具，其中，衬底由石英、熔融硅石、玻璃、YAG或CaF2形成。
13.如权利要求10到12中任一项所述的压印模具，其中，无机释放层由下列组中的一个形成：SiNx、AlNx、TiNx、TiOx、AlOx、TaOx或GaNx。
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