[发明专利]具有透明增光键合层的四元发光二极管及其制作工艺

权利要求书

1.具有透明增光键合层的四元发光二极管，其含有第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层及磷化镓窗口层；其特征在于：一掺有颗粒状透明物质的键合层，形成于磷化镓窗口层上；一永久基板与所述键合层连接；一金属反射层形成于第一型磊晶层表面；第一电极设置于金属反射层表面；第二电极设置于裸露的磷化镓窗口层表面。

2.根据权利1所述的具有透明增光键合层的四元发光二极管，其特征在于：所述透明颗粒的粒径大小为0.02um~2um。

3.具有透明增光键合层的四元发光二极管的制作工艺，其步骤如下：

1）在临时基板上形成由第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层及窗口层构成的晶片；

2）采用键合技术，通过掺有颗粒状透明物质的键合层将晶片与永久基板键合；

3）去除临时基板，并将晶片倒置；

4）采用湿法或干法蚀刻法，蚀刻部分第一型磊晶层区域至窗口层； 

5）在第一型磊晶层上形成金属反射层；

6）制作P、N电极并将晶片切割。

4.根据权利3所述的具有透明增光键合层的四元发光二极管的制作工艺，其特征在于：所述临时基板选自Si片、砷化镓或磷化镓基板。

5.根据权利3所述的具有透明增光键合层的四元发光二极管的制作工艺，其特征在于：所述永久基板选用蓝宝石、磷化镓或玻璃透明基板。

6.根据权利3所述的具有透明增光键合层的四元发光二极管的制作工艺，其特征在于：键合层选自有机黏合胶、环氧树脂、BCB透明键合材料。

7.根据权利3所述的具有透明增光键合层的四元发光二极管的制作工艺，其特征在于：透明颗粒选自SiO₂、TiO₂、Al₂O₃或聚苯乙烯材料。

8.根据权利3所述的具有透明增光键合层的四元发光二极管的制作工艺，其特征在于：所述透明颗粒的粒径大小为0.02um~2um。

9.根据权利3所述的具有透明增光键合层的四元发光二极管的制作工艺，其特征在于：金属反射层材料选自Au、Ag、Al、Pt或Zn。