[发明专利]集成半导体电感器及其方法

权利要求书

1.一种集成半导体滤波器，包括：

覆盖半导体衬底的表面的第一部分的第一多层电感器，该第一多层电感器包括覆盖半导体衬底在第一方向上延伸的第一电感器元件和覆盖第一电感器元件在不同的方向上延伸的第二电感器元件，以形成第一和第二电感器元件之间的磁耦合，其中第一电感器元件电连接到第二电感器元件，并且其中第二电感器元件具有公共连接端子；

与第一电感器串联耦合的第一电容器；以及

覆盖半导体衬底的表面的第二部分的并且公共耦合到第一多层电感器的第二多层电感器，该第二多层电感器具有覆盖半导体衬底的第二部分并且放置在第一电感器元件附近的第三电感器元件、覆盖第三电感器元件的至少一部分以在第三电感器元件和第四电感器元件之间形成磁耦合的第四电感器元件以及设置在第三电感器元件与第四电感器元件之间的第一电介质，其中第四电感器元件电连接到第三电感器元件，并且其中第四电感器元件的公共连接端子与第二电感器元件的公共连接端子公共耦合。

2.根据权利要求1的集成半导体滤波器，进一步包括以旁路结构形式与第一电感器耦合的第二电容器。

3.根据权利要求1的集成半导体滤波器，进一步包括暂态电压抑制器件，该暂态电压抑制器件与第一多层电感器和第二多层电感器并联耦合以便形成与其并联的电容器。