[发明专利]可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置

权利要求书

1.可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置，其特征在于：由可控硅、ESP保护及信号限幅模块、运算放大器及窗口比较器模块、单片机处理器、驱动信号隔离放大模块及驱动信号整形电路组成；可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置并联在容性无功补偿装置电路中可控硅开关的两端，在可控硅的控制保护电路中连接有两个采样电阻R_S；采样电阻R_S的两个引出端与ESP保护及信号限幅模块输入端连接；ESP保护及信号限幅模块的输出端与运算放大器及窗口比较器模块的输入端连接；运算放大器及窗口比较器模块的输出端与单片机处理器的输入端连接；单片机处理器的输出端与驱动信号隔离放大模块的输入端连接；驱动信号隔离放大模块的输出端与驱动信号整形电路的输入端连接；驱动信号整形电路输出端与可控硅的触发端连接。

2.根据权利要求1所述的可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置，其特征在于：所述采样电阻Rs串联在可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置电路的输入端，获取电压信号。

3.根据权利要求1所述的可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置，其特征在于：所述ESP保护及信号限幅模块设置在采样电阻Rs之后，对电路起到防静电、防雷保护。

4.根据权利要求1所述的可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置，其特征在于：所述运算放大器及窗口比较器模块，其中运算放大器进行差分、窗口采样，捕获稳定的端电压信号，将该信号通过窗口比较器获取电压的极小值点，将该信号送入单片机进行信号处理。

5.根据权利要求1所述的可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置，其特征在于：所述单片机处理器将窗口比较器捕获的电压极小值点进行延时移相，获取准确的电压极小值时刻，从而产生触发信号及控制信号。

6.根据权利要求1所述的可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置，其特征在于：所述驱动信号隔离放大模块将触发信号经信号锁存器，送给放大电路，放大后的触发信号，经过电磁隔离输送到驱动信号整形电路。

7.根据权利要求1所述的可控硅投切电容器高速开关的驱动控制装置，其特征在于：所述驱动信号整形电路由电容C1、二极管D1、二极管D3、电阻R1以及电容C2、二极管D2、二极管D4、电阻R2组成；二极管D1与电容C1串联，二极管D3、电阻R1与电容C1并联；二极管D2与电容C2串联，二极管D4、电阻R2与电容C2并联；经修整的信号双向触发可控硅，可控硅安全触发后，其端电压从网电电压变为可控硅压降电压，此时单片机可以根据采样信号判断可控硅是否为安全触发，当可控硅未能按照规定的控制信号触发时，可采取保护措施。