[发明专利]一种数据存储的方法及装置有效
申请号: | 201010294573.1 | 申请日: | 2010-09-27 |
公开(公告)号: | CN102419734A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 艾国 | 申请(专利权)人: | 北京中星微电子有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100083 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 数据 存储 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及计算机及嵌入式领域,特别是涉及数据存储的方法及装置。
背景技术
NAND型闪存(Nandflash)是闪存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nandflash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。Nandflash以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。
由于Nand-flash中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率也相应增加,这样就会使程序和文件资源很容易遭到破坏。现有技术中Nandflash在出厂时会对其进行检测,根据块中错误比特(bit)的数量,将块分为好块和坏块。好块是指可以用于存储数据的块,坏块是指不能用于存储数据的块。用于区分好坏块的错误比特数量门限值,如果设得较小,则好块的数量会比较少,也就是可用的存储空间将非常小,相当一部分存储空间无法使用,影响存储空间的利用率。如果设得比较大,则在数据读写过程中会获得错误的数据,严重时将影响系统的运行。由于Nandflash在长时间的使用过程中,块中错误比特的数量会增加,为了防止对数据的影响,错误比特数量门限值都设得明显较低,影响存储空间的利用率。
发明内容
本发明实施例提供一种数据存储的方法及装置,用于提高存储空间的利用率。
一种数据存储的方法,包括以下步骤:
接收存储数据的请求,并从该请求中获得需存储的数据;
根据所述请求包括的需存储的数据的逻辑存储地址,及根据逻辑存储地址与等级的对应关系,确定需存储的数据的数据等级;数据等级是依据数据的容错能力设定的;
将需存储的数据存储到与数据等级对应的存储块。
一种用于数据存储的装置,包括:
接口模块,用于接收存储数据的请求,并从该请求中获得需存储的数据;
处理模块,用于根据所述请求包括的需存储的数据的逻辑存储地址,及根据逻辑存储地址与等级的对应关系,确定需存储的数据的数据等级,并将需存储的数据存储到与数据等级对应的存储块;数据等级是依据数据的容错能力设定的;
存储模块中的存储块用于存储数据。
一种用于数据存储的装置,包括:
文件管理器,用于接收存储数据的请求,并从该请求中获得需存储的数据,以及根据所述请求包括的需存储的数据的逻辑存储地址,及根据逻辑存储地址与等级的对应关系,确定需存储的数据的数据等级;数据等级是依据数据的容错能力设定的;
驱动器,用于将需存储的数据存储到与数据等级对应的存储块。
本发明实施例将数据和存储块均分为多个等级,按照需存储的数据的逻辑地址查找相应的数据等级,再依据数据等级将数据存储到对应的存储块。根据数据的容错能力,不同数据等级的数据存储到不同的好块中。由于对数据和存储块进行了分级,并做相应的存储,则可根据数据的最大容错能力设置好块与坏块之间的门限值,而不是如现有技术中根据数据的容错均衡能力设置好块与坏块之间的门限值,则本实施例可以将好块与坏块之间的门限值设得高一些,可高于现有技术中常用的门限值,以提高存储块的利用率。并且,根据数据的容错能力,将不同的数据等级的数据存储到相应的存储块中,减少错误数据带来的影响。
附图说明
图1为本发明实施例中数据存储的主要方法流程图;
图2为本发明实施例中数据存储的详细方法流程图;
图3为本发明实施例中文件管理器和驱动器实现数据存储的方法流程图;
图4为本发明实施例中装置400的结构图;
图5为本发明实施例中装置500的主要结构图;
图6为本发明实施例中装置500的详细结构图。
具体实施方式
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