[发明专利]用于ESD防护的低电压触发硅控整流器及其制造方法

权利要求书

1.一种用于ESD防护的低电压触发硅控整流器，其特征在于，包括：

第一导电型半导体衬底；在所述第一导电型半导体衬底上面设置的第二导电型掺杂阱；在所述第二导电型掺杂阱上设置的第二导电型第一掺杂区和第一导电型第二掺杂区；在所述第一导电型半导体衬底和第二导电型掺杂阱交界处设置的第二导电型第三掺杂区；在所述第一导电型半导体衬底上还设置了第二导电型第四掺杂区和第一导电型第五掺杂区；第二导电型第三掺杂区和第二导电型第四掺杂区之间设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶硅层；在第二导电型第三掺杂区和栅氧化层之间设有第一场氧结构，在第一导电型半导体衬底和第二导电型掺杂阱上设置将掺杂区隔离开的第二场氧结构；

其中所述第二导电型第一掺杂区和第一导电型第二掺杂区并联于阳极，所述多晶硅层、第二导电型第四掺杂区和第一导电型第五掺杂区并联于阴极。

2.如权利要求1所述的用于ESD防护的低电压触发硅控整流器，其特征在于：所述第一导电型半导体衬底为P型掺杂半导体衬底，所述第二导电型掺杂阱为N型掺杂阱，所述第二导电型第一掺杂区、第二导电型第三掺杂区、第二导电型第四掺杂区均为N型掺杂区，所述第一导电型第二掺杂区、第一导电型第五掺杂区均为P型掺杂区。

3.如权利要求1所述的用于ESD防护的低电压触发硅控整流器，其特征在于：所述第一导电型第二掺杂区的电阻值由所述第一导电型第二掺杂区的掺杂浓度决定。

4.如权利要求1所述的用于ESD防护的低电压触发硅控整流器，其特征在于：所述第一导电型第二掺杂区的电阻值由所述第一导电型第二掺杂区的几何形状决定。

5.一种用于ESD防护的低电压触发硅控整流器的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

A、在第一导电型半导体衬底上注入第二导电型掺杂阱；

B、在所述第二导电型掺杂阱上确定第二导电型第一掺杂区和第一导电型第二掺杂区的位置；在所述第一导电型半导体衬底和第二导电型掺杂阱交界处确定第二导电型第三掺杂区的位置；在所述第一导电型半导体衬底上确定第二导电型第四掺杂区和第一导电型第五掺杂区的位置；确定所述第二导电型第三掺杂区和第二导电型第四掺杂区之间的第一场氧结构区的位置；在所述第一导电型半导体衬底和第二导电型掺杂阱上确定将掺杂区隔离开的第二场氧结构区的位置；

C、在第一场氧结构区的位置和第二导电型第四掺杂区的位置之间的第一导电型掺杂半导体衬底上生长栅氧化层，再在栅氧化层上淀积多晶硅；

D、在第二半导体型第三掺杂区、第二半导体型第四掺杂区的位置上进行轻掺杂漏注入工艺；

E、对第二半导体型第四掺杂区的位置进行侧墙的形成； 

F、对第二半导体型第一掺杂区、第一半导体型第二掺杂区、第二半导体型第三掺杂区、第二半导体型第四掺杂区、第一半导体型第五掺杂区的位置实施源漏注入工艺。

6.如权利要求5所述的用于ESD防护的低电压触发硅控整流器的制造方法，其特征在于：所述第一导电型半导体衬底为P型掺杂半导体衬底，所述第二导电型掺杂阱为N型掺杂阱，所述第二导电型第一掺杂区、第二导电型第三掺杂区、第二导电型第四掺杂区均为N型掺杂区，所述第一导电型第二掺杂区、第一导电型第五掺杂区均为P型掺杂区。

7.如权利要求5所述的用于ESD防护的低电压触发硅控整流器的制造方法，其特征在于：所述方法的每个步骤前，均需涂光刻胶、光刻、清洗，得到所需图形。

8.如权利要求5所述的用于ESD防护的低电压触发硅控整流器的制造方法，其特征在于：所述步骤D中轻掺杂注入要比所述步骤F中源漏注入时离子剂量少，能量低。