[发明专利]光掩模及其制造方法、图案转印方法及液晶显示装置制作方法

权利要求书

1.一种光掩模，该光掩模对形成在待蚀刻加工的被加工体上的抗蚀剂膜转印包含线与间隙图案的预定转印图案，使所述抗蚀剂膜成为所述蚀刻加工中作为掩模的抗蚀剂图案，其中，

所述转印图案是由透光部和半透光部设置的，所述透光部和半透光部是通过对形成在透明基板上的半透光膜进行构图而形成的，

形成在所述透明基板上的所述线与间隙图案的线图案是由所述半透光部设置的，所述间隙图案是由所述透光部设置的。

2.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述半透光部的透射率大于等于1％小于等于30％。

3.根据权利要求1或2所述的光掩模，其中，所述线与间隙图案的间距宽度大于等于2.0μm小于7.0μm。

4.根据权利要求1或2所述的光掩模，其中，在设形成在所述透明基板上的线与间隙图案的线宽为LM、间隙宽度为SM，设所述蚀刻加工后形成在所述被加工体上的线与间隙图案的线宽为LP、间隙宽度为SP时，满足LM＞LP且SM＜SP的关系。

5.根据权利要求4所述的光掩模，其中，在形成在所述被加工体上的线与间隙图案的线宽LP和间隙宽度SP为等宽的情况下，形成在所述透明基板上的线与间隙图案的线宽LM和间隙宽度SM满足LM＞SM的关系。

6.根据权利要求5所述的光掩模，其中，在设形成在所述透明基板上的线与间隙图案的线宽LM与间隙宽度SM之差的1/2为偏置值时，所述偏置值为0.2μm～1.0μm。

7.一种图案转印方法，其中，该图案转印方法包含以下工序：

在被加工体上形成抗蚀剂膜的工序；

经由光掩模对所述抗蚀剂膜照射曝光光后，对所述抗蚀剂膜进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；以及

将所述抗蚀剂图案作为掩模对所述被加工体进行蚀刻，由此将所述被加工体的至少一部分形成为线与间隙图案的工序，

其中，使用权利要求1或2所述的光掩模作为所述光掩模。

8.根据权利要求7所述的图案转印方法，其中，在设所述光掩模的线与间隙图案的线宽为LM、间隙宽度为SM时，所述蚀刻加工后形成在所述被加工体上的线与间隙图案的线宽LP比所述LM小，间隙宽度SP比所述SM大。

9.根据权利要求8所述的图案转印方法，其中，在形成在所述被加工体上的线与间隙图案的线宽LP和间隙宽度SP形成为等宽的情况下，所述光掩模的所述线与间隙图案的线宽LM比间隙宽度SM大。

10.根据权利要求9所述的图案转印方法，其中，进行湿蚀刻作为所述蚀刻。

11.根据权利要求10所述的图案转印方法，其中，使用在所述湿蚀刻中与所述被加工体之间的蚀刻选择比为10倍以上的材料，作为所述抗蚀剂膜。

12.一种液晶显示装置制作方法，其特征在于，该制作方法使用权利要求7所述的图案转印方法对透明导电膜进行蚀刻加工，由此形成梳状的像素电极。

13.一种光掩模制造方法，该制造方法对形成在待蚀刻加工的被加工体上的抗蚀剂膜转印包含线与间隙图案的预定转印图案，使所述抗蚀剂膜成为所述蚀刻加工中作为掩模的抗蚀剂图案，其中，该光掩模制造方法包含以下工序：

在透明基板上形成半透光膜的工序；以及

通过对所述半透光膜进行构图，形成由透光部和半透光部构成的所述转印图案的工序，

其中，将所述半透光膜的透射率设为1％以上30％以下，

形成在所述透明基板上的所述线与间隙图案的线图案由所述半透光部形成，间隙图案由所述透光部形成。

14.根据权利要求13所述的光掩模制造方法，其中，所述线与间隙图案的间距宽度形成为2.0μm以上7.0μm以下。

15.根据权利要求13或14所述的光掩模制造方法，其中，规定曝光条件、所述抗蚀剂膜的特性、所述被加工体的特性以及所述被加工体的加工条件的相关关系，根据所述被加工体的加工条件，通过仿真来确定形成在所述透明基板上的所述线与间隙图案的线宽、间隙宽度以及所述半透光部的透射率。