[发明专利]一种硼掺杂纳米金刚石薄膜及制备方法无效
| 申请号： | 201010295654.3 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101956178A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 胡晓君;刘会君 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/56 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;王兵 |
| 地址： | 310014 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 纳米 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种硼掺杂纳米金刚石薄膜的制备方法，其特征在于所述的方法包括以下步骤：
（1）采用化学气相沉积法，在单晶硅衬底上制备硼掺杂纳米金刚石薄膜前体；
（2）将步骤（1）制备得到的硼掺杂纳米金刚石薄膜前体在800~1200℃下真空退火30~60分钟，制得所述硼掺杂纳米金刚石薄膜。
2.如权利要求1所述的硼掺杂纳米金刚石薄膜的制备方法，其特征在于所述步骤（1）的制备方法如下：采用化学气相沉积设备，以单晶硅为衬底，以丙酮为碳源，B2H6为硼源，硼浓度为500~5000 ppm，采用氢气鼓泡方式将溶有硼源的丙酮带入到反应室中，反应温度600~700℃、反应时间5~6小时，在单晶硅衬底上制备得到厚度为1～15μm的硼掺杂纳米金刚石薄膜前体。
3.如权利要求1所述的硼掺杂纳米金刚石薄膜的制备方法，其特征在于所述步骤（2）中的真空退火是在相对真空度为3~10mmHg下进行的。
4.一种采用如权利要求1所述方法制备的硼掺杂纳米金刚石薄膜，其特征在于：所述退火使薄膜中非晶碳晶界上的反式聚乙炔及晶界含量大大减少，位于晶界上的硼扩散进入到纳米金刚石晶粒中；所述硼掺杂纳米金刚石薄膜呈p型电导；所述硼掺杂纳米金刚石薄膜的电化学窗口为2.4~3.1V，析氧电位为和1.7~2.3V，对苯酚的氧化峰电流密度可达2.12 mA/cm2。
5.一种硼掺杂纳米金刚石薄膜，其特征在于所述硼掺杂纳米金刚石薄膜按以下方法制备得到：（1）采用化学气相沉积法，在单晶硅衬底上制备硼掺杂纳米金刚石薄膜前体；（2）将步骤（1）制备得到的硼掺杂纳米金刚石薄膜前体在800~1200℃下真空退火30~60分钟，制得所述硼掺杂纳米金刚石薄膜。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
