[发明专利]充电管理装置

权利要求书

1.一种充电管理装置，其包括：

充电电路，以恒流模式或恒压模式对电池充电，并提供恒流反馈电压和恒压反馈电压；

恒流放大电路，其两个差分输入端分别连接第一参考电压和所述恒流反馈电压，其输出控制所述充电电路以恒流模式对所述电池进行充电；

恒压放大电路，其两个差分输入端分别连接第二参考电压和所述恒压反馈电压，其输出控制所述充电电路以恒压模式对所述电池进行充电；

模式转换控制电路，自动控制所述充电电路由恒流模式转换为恒压模式；和

偏移补偿电路，在所述充电电路以恒流模式对电池充电时，补偿恒压放大电路对恒流放大电路产生的偏移，在充电电路以恒压模式对电池充电时，补偿恒流放大电路对恒压放大电路产生的偏移。

2.如权利要求1所述的充电管理装置，其特征在于：所述充电管理装置包括一个共用电路，所述共用电路包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第六NMOS晶体管、第七NMOS晶体管，其中第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管的栅极共同连接于第一偏置电压源，第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管的源极均接地，第一NMOS晶体管的漏极连接于第一节点、第二NMOS晶体管的漏极连接于第二节点、第三NMOS晶体管的漏极连接于第三节点；其中第五NMOS晶体管、第六NMOS晶体管、第七NMOS晶体管的栅极共同连接于第二偏置电压源，第五NMOS晶体管的源极连接于第一节点、第六NMOS晶体管的源极连接于第二节点、第七NMOS晶体管的源极连接于第三节点；第五NMOS晶体管的漏极连接于第一输出节点、第六NMOS晶体管的漏极连接于第二输出节点、第七NMOS晶体管的漏极连接于第一输出节点。

3.如权利要求2所述的充电管理装置，其特征在于：所述恒流放大器电路包括第一偏置电流源、第一差分对输入管及第二差分对输入管，所述第一差分对输入管及第二差分对输入管连接于前述共用电路，并与前述共用电路、第一偏置电流源一同构成一第一共源共栅电流源；其中所述第一偏置电流源的一端连接于电源，另一端连接于第一差分对输入管和第二差分对输入管的源极；所述第一差分对输入管的栅极连接于一个恒流反馈节点，所述第一差分对输入管的漏极连接于所述共用电路的第一节点；所述第二差分对输入管的栅极连接于第一参考电压源，所述第二差分对输入管的漏极连接于所述共用电路的第二节点。

4.如权利要求3所述的充电管理装置，其特征在于：所述恒压放大器电路包括第二偏置电流源、第四差分对输入管和第五差分对输入管，所述第四差分对输入管和第五差分对输入管连接于前述共用电路，所述第二偏置电流源、第四差分对输入管、第五差分对输入管及共用电路构成第二共源共栅电流源，其中所述第二偏置电流源的一端连接于电源，另一端连接于第四差分对输入管和第五差分对输入管的源极；所述第四差分对输入管的栅极连接于一个恒压反馈节点，所述第四差分对输入管的漏极连接于所述共用电路的第三节点；所述第五差分对输入管的栅极连接于第二参考电压源，所述第五差分对输入管的漏极连接于所述共用电路的第二节点。

5.如权利要求4所述的充电管理装置，其特征在于：所述偏移补偿电路包括与所述第二差分对输入管形成电流镜并连接至前述共用电路的第一偏移补偿电路，所述第一偏移补偿电路包括第三PMOS晶体管和第四NMOS晶体管，用于消除恒流放大器电路对恒压放大器造成的偏移，其中所述第三PMOS晶体管的栅极连接于所述第一参考电压源，源极连接于第一偏置电流源、漏极连接于第四NMOS晶体管的漏极，所述第四NMOS晶体管的栅极连接于所述第一偏置电压源，源极连接于所述共用电路的第三节点；所述偏移补偿电路还包括与所述第五差分对输入管形成电流镜并连接至前述共用电路的第一偏移补偿电路，所述第一偏移补偿电路包括第六PMOS晶体管和第八NMOS晶体管，用于消除恒压放大器对恒流放大器造成的偏移，其中所述第六PMOS晶体管的栅极连接于所述第二参考电压源，源极连接于第二偏置电流源、漏极连接于第八NMOS晶体管的漏极，所述第八NMOS晶体管的栅极连接于所述第一偏置电压源，源极连接于所述共用电路的第一节点。