[发明专利]一种计算机及其浮地设计结构有效
申请号: | 201010296598.5 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN102436300A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 陈志列;张绪坤;余灿强;曹建国 | 申请(专利权)人: | 研祥智能科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/26 | 分类号: | G06F1/26 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 计算机 及其 设计 结构 | ||
技术领域
本发明属于电路设计领域,尤其涉及一种计算机及其浮地设计结构。
背景技术
近年来,针对电力、重工、地铁等行业设计的计算机产品越来越多,这些行业都有一个共同的特点,产品要工作在大功率、高电压的系统环境下,这样,接地设计就显得尤为重要。接地技术是电子通讯设备必须采用的重要技术,正确的接地不仅是保护人身安全和设备的必要手段,也是电子通讯设备稳定和可靠地工作的重要条件。产品的机壳地通常情况下是接大地的,而在电力等行业系统中,机壳地会接入电站的接地铜排上,相关的电力电气设备(包括高压系统)都是接在此铜排上,因此会从地串入干扰,所以主板电路功能地应该与之隔离。针对以上情况,通常只能采用浮地设计来解决设备的接地问题。浮地是主板电路功能地在电气上与机壳地或者说是和大地绝缘,相对于大地是悬浮的。
但是,现有的计算机的浮地设计结构还存在绝缘电阻测试、介质强度测试以及电磁兼容测试无法达标的问题。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种计算机的浮地设计结构,旨在解决现有的计算机存在绝缘电阻测试、介质强度测试以及电磁兼容测试无法达标的问题。
本发明实施例是这样实现的,一种计算机的浮地设计结构,包括机壳、电源、主板和外设,所述主板上的滤波元器件不接机壳地,或者接机壳地的滤波元器件采用第一电容,所述主板电路功能地和所述机壳地之间也连接有第一电容,所述主板电路功能地和所述机壳地之间的第一电容的容量之和小于或等于0.1μf,所述外设通过绝缘材料接机壳,所述电源包括输入地和输出地,所述输入地接机壳地,所述输出地通过第二电容接机壳地。
更进一步地,所述主板的固定螺丝孔通过所述第一电容接主板电路功能地,或者所述主板的固定螺丝孔不和主板电路功能地连接。
更进一步地,所述计算机的浮地设计结构还包括屏蔽线,所述屏蔽线的屏蔽层与一铁图连接,所述铁图接在所述机壳或主板的固定螺丝孔上。
更进一步地,所述主板上位于PCB同一层的信号线与机壳地或固定螺丝孔的间距大于或等于20mil。
更进一步地,所述第一电容采用耐压大于AC500V的高压电容。
更进一步地,所述第二电容采用耐压大于或等于AC3000V的高压电容。
更进一步地,所述外设包括硬盘和光驱。
本发明实施例的另一目的在于提供一种包括上述计算机的浮地设计结构的计算机。
在本发明实施例中,该计算机的浮地设计结构增强了计算机的耐压性能,即使计算机的机壳上有AC 1000V以上的电压,仍然不会对计算机造成损害,另外,由于接到机壳地的元器件与机壳地之间都采用电容隔离,电源的输入地和输出地之间也采用电容隔离,外设和机箱也做了绝缘,并且主板电路功能地和机壳地之间的电容的容量之和小于或等于0.1μf,这样就使得计算机的绝缘电阻测试、介质强度测试以及电磁兼容测试都满足标准值。
附图说明
图1是本发明实施例提供的计算机的浮地设计结构的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的计算机的屏蔽线的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
图1示出了本发明实施例提供的一种计算机的浮地设计结构,为了便于说明,仅示出了与本发明实施例相关的部分,详述如下。
计算机的浮地设计结构包括机壳1、电源2、主板3和外设4,主板3上的滤波元器件(图中未示出)不接机壳地5,或者接机壳地5的滤波元器件(图中未示出)采用第一电容C1,主板电路功能地6和机壳地5之间也连接有第一电容C1,主板电路功能地6和机壳地5之间的第一电容C1的容量之和小于或等于0.1μf,其目的是为了满足介质强度测试指标(使用AC500V 50Hz工频电压测试,漏电流小于5mA),外设4通过绝缘材料8接机壳1,电源2包括输入地21和输出地22,输入地21接机壳地5,输出地22通过第二电容C2接机壳地5。
作为本发明一实施例,主板3的固定螺丝孔31通过第一电容C1接主板电路功能地6,或者主板3的固定螺丝孔31不和主板电路功能地6连接。
作为本发明一实施例,第一电容C1采用耐压大于AC500V的高压电容。
作为本发明一实施例,第二电容C2采用耐压大于或等于AC3000V的高压电容。
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