[发明专利]镀膜装置无效
申请号: | 201010296608.5 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN102433553A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 裴绍凯 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/448 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 装置 | ||
1.一种镀膜装置,包括:
一个形成装置,其具有一个反应腔;
一个连接至该形成装置的中间装置,其具有一个连通该反应腔的等待腔;
一个连接至该中间装置的制程装置,其具有一个连接至该等待腔的制程腔;
一个第一开关装置,用于控制该反应腔与该等待腔连通与隔绝;及
一个第二开关装置,用于控制该等待腔与该制程腔连通与隔绝;及
一个控制装置,用于控制第一及第二开关装置的作动。
2.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该形成装置包括一个第一外壳,一个坩埚、一个电子发射单元及一个加热单元;该第一外壳开设有一个射入孔、一个连通至该等待腔的第一出料孔及一个用于连接至一个反应性气体源的第一进气孔,该第一外壳形成该反应腔;该坩埚用于承载前驱物且设置在该反应腔中;该电子发射单元设置在该第一外壳之外,用于发射高能电子束且该电子束通过该射入孔进入该反应腔;该加热单元包裹在该第一外壳外围以加热该第一外壳。
3.如权利要求2所述的镀膜装置,其特征在于,该第一外壳具有上下左右四个侧壁,该射入孔与该第一出料孔分别位于该第一外壳左右两个侧壁上,该第一进气孔位于该第一外壳的上侧壁上,该坩埚设置在该第一外壳的下侧壁上。
4.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该中间装置包括一个第二外壳,该第二外壳开设有一个连通至该反应腔的第一进料孔、一个连通至该制程腔的第二出料孔及一个用于连接至一个载流气体源的第二进气孔,该第二外壳形成该等待腔。
5.如权利要求4所述的镀膜装置,其特征在于,该第二外壳具有上下左右四个侧壁,该第二出料孔及该第二进气孔分别位于该第二外壳上下两个侧壁上,该第一进料孔位于该第二外壳左侧壁上。
6.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该制程装置包括一个第三外壳及一个支架,该第三外壳形成该制程腔且开设有一个连接至该等待腔的第二进料孔,该支架用于承载待镀膜的基板且设置在该制程腔内。
7.如权利要求6所述的镀膜装置,其特征在于,该制程装置还包括一个驱动装置,该第三外壳还开始有一个轴孔;该驱动装置包括一个驱动源及一个连接至驱动源且可由其驱动旋转的转轴,该驱动源设置在该第三外壳之外,该转轴穿过该轴孔进入该制程腔;该支架固定至该转轴且可由其驱动旋转。
8.如权利要求6所述的镀膜装置,其特征在于,该第三外壳具有上下左右四个侧壁,该第二进料孔及该轴孔分别位于该第三外壳的上下侧壁上。
9.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该控制装置包括一个第一感测器,一个第二感测器及一个控制器;该第一感测器设置于该反应腔内且用于感测该反应腔内的第一气体浓度,该第二感测器设置于该等待腔内且用于感测该等待腔内的第二气体浓度;该控制器连接至该第一感测器、第二感测器、第一开关装置及该第二开关装置,用于根据该第一气体浓度控制该第一开关装置的开或关,根据该第二气体浓度控制该第二开关装置的开或关。
10.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该镀膜装置还包括一个第二形成装置,一个第二中间装置,一个第三开关装置及一个第四开关装置;该第二形成装置具有一个第二反应腔;该第二中间装置连接至该第二形成装置及该制程装置,并具有一个连通该第二反应腔及该制程腔的第二等待腔;该第三开关装置设置在该第二反应腔与该第二等待腔之间,用于控制该第二反应腔与该第二等待腔连通与隔绝;该第二开关装置设置在该第二等待腔与该制程腔之间,用于控制该第二等待腔与该制程腔连通与隔绝;该形成装置及该中间装置位于该制程装置的左下方,该第二形成装置及该第二中间装置位于该制程装置的右下方。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的