[发明专利]高温相钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种高温相钼酸碲钡晶体，化学式为BaTeMo₂O₉，属于正交晶系，空间群为Pca2₁，a＝14.8683(2)b＝5.66360(10)c＝17.6849(3)紫外-可见-近红外透过光谱和中红外透过光谱显示，该晶体在380～5530nm的波长范围内透过，室温下，用1064nm的红外激光入射晶体，产生波长为532nm的绿光。

2.权利要求1所述高温相钼酸碲钡晶体的制备方法，采用助熔剂法生长，步骤如下：

(1)将BaCO₃、Ba(OH)₂或BaO之一与TeO₂、MoO₃按化学计量比配料，在560-580℃合成高温相钼酸碲钡多晶；将合成的高温相钼酸碲钡多晶加入到助熔剂中，所述助熔剂是TeO₂-MoO₃，其中TeO₂与MoO₃摩尔比为(4～0.25)∶1，高温相钼酸碲钡多晶与助熔剂的摩尔比为(1～0.14)∶1；将多晶和助熔剂研磨均匀，装入铂金坩埚；

或者，采用直接混料法：

直接将BaCO₃、Ba(OH)₂或BaO之一与TeO₂、MoO₃按摩尔比1∶(2～5)∶(3～6)称量，混合均匀，装入铂金坩埚；优选的，按BaCO₃、Ba(OH)₂或BaO之一与TeO₂、MoO₃按摩尔比1∶3.4∶4称量；

(2)升温至650℃使铂金坩埚内原料熔化并混合均匀；降温至熔体饱和点，下入高温相钼酸碲钡籽晶，降温使晶体生长；生长温度区间为530～590℃；降温速率为0.01～5℃/h，生长周期12～50天。

3.如权利要求2所述高温相钼酸碲钡晶体的制备方法，其特征在于步骤(2)晶体生长的晶转参数为：转速5～50rpm，加速1～10s，运行30～180s，间歇5～50s。

4.如权利要求2所述高温相钼酸碲钡晶体的制备方法，其特征在于步骤(2)晶体生长的降温速率为0.01-0.1℃/h。

5.权利要求1所述的正交晶系高温相钼酸碲钡晶体作为非线性光学晶体的用途，用于将包含至少一束入射电磁波，通过至少一块非线性光学晶体后，产生至少一束频率不同于入射电磁波的输出辐射装置，其中的非线性光学晶体至少一块是正交晶系高温相铝酸碲钡晶体。

6.如权利要求5所述的用途，正交晶系高温相钼酸碲钡晶体作为非线性光学晶体用于激光频率变换器、制作光参量放大器或光参量振动器。

7.权利要求1所述的正交晶系高温相钼酸碲钡晶体作为双折射晶体的用途，用于制作渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜、格兰-泰勒棱镜、偏光棱镜或光隔离器件。

8.权利要求1所述的正交晶系高温相钼酸碲钡晶体作为压电晶体，用于制作压电振荡器、滤波器、压电换能器、压电式压力传感器、电声换能器或超声波传感器。

9.权利要求1所述的正交晶系高温相钼酸碲钡晶体作为铁电晶体的应用。

10.权利要求1所述的正交晶系高温相钼酸碲钡晶体作为热释电晶体或激光基质材料的应用。